Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1997
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11. Color variable bipolar/ac light-emitting devices based on conjugated polymers
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3215-3217

Y. Z. Wang,   D. D. Gebler,   D. K. Fu,   T. M. Swager,   A. J. Epstein,  

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12. Stop-bands for periodic metallic rods: Sculptures that can filter the noise
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3218-3220

Manvir S. Kushwaha,  

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13. Room temperature crystal structure and relaxor ferroelectric behavior ofPb0.5Ca0.5TiO3
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3221-3223

Rajeev Ranjan,   Neelam Singh,   Dhananjai Pandey,   V. Siruguri,   P. S. R. Krishna,   S. K. Paranjpe,   Alok Banerjee,  

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14. Reduction of dislocation density in mismatched SiGe/Si using a low-temperature Si buffer layer
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3224-3226

K. K. Linder,   F. C. Zhang,   J.-S. Rieh,   P. Bhattacharya,   D. Houghton,  

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15. Metallization induced band bending ofSrTiO3(100)andBa0.7Sr0.3TiO3
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3227-3229

M. Copel,   P. R. Duncombe,   D. A. Neumayer,   T. M. Shaw,   R. M. Tromp,  

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16. A stable Ti-based quasicrystal
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3230-3232

K. F. Kelton,   W. J. Kim,   R. M. Stroud,  

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17. Fullerene and nanoparticle formation in carbon cathodic arc deposition
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3233-3235

M. Chhowalla,   A. I. Munindradasa,   G. A. J. Amaratunga,  

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18. Stability of far fields in double heterostructure and multiple quantum well InAsSb/InPAsSb/InAs midinfrared lasers
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3236-3238

H. Yi,   A. Rybaltowski,   J. Diaz,   D. Wu,   B. Lane,   Y. Xiao,   M. Razeghi,  

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19. Optical phonons in laser-depositedCdSxTe1−xfilms
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3239-3241

A. Fischer,   Z. Feng,   E. Bykov,   G. Contreras-Puente,   A. Compaan,   Fray de Landa Castillo-Alvarado,   Jaime Avendan˜o,   Alice Mason,  

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20. Growth of single phaseGaAs1−xNxwith high nitrogen concentration by metal–organic molecular beam epitaxy
  Applied Physics Letters,   Volume  70,   Issue  24,   1997,   Page  3242-3244

Y. Qiu,   S. A. Nikishin,   H. Temkin,   N. N. Faleev,   Yu. A. Kudriavtsev,  

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