Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1986
当前卷期:Volume 49  issue 15     [ 查看所有卷期 ]

年代:1986
 
     Volume 48  issue 1   
     Volume 48  issue 2   
     Volume 48  issue 3   
     Volume 48  issue 4   
     Volume 48  issue 5   
     Volume 48  issue 6   
     Volume 48  issue 7   
     Volume 48  issue 8   
     Volume 48  issue 9   
     Volume 48  issue 10   
     Volume 48  issue 11   
     Volume 48  issue 12   
     Volume 48  issue 13   
     Volume 48  issue 14   
     Volume 48  issue 15   
     Volume 48  issue 16   
     Volume 48  issue 17   
     Volume 48  issue 18   
     Volume 48  issue 19   
     Volume 48  issue 20   
     Volume 48  issue 21   
     Volume 48  issue 22   
     Volume 48  issue 23   
     Volume 48  issue 24   
     Volume 48  issue 25   
     Volume 48  issue 26   
     Volume 49  issue 1   
     Volume 49  issue 2   
     Volume 49  issue 3   
     Volume 49  issue 4   
     Volume 49  issue 5   
     Volume 49  issue 6   
     Volume 49  issue 7   
     Volume 49  issue 8   
     Volume 49  issue 9   
     Volume 49  issue 10   
     Volume 49  issue 11   
     Volume 49  issue 12   
     Volume 49  issue 13   
     Volume 49  issue 14   
     Volume 49  issue 15
     Volume 49  issue 16   
     Volume 49  issue 17   
     Volume 49  issue 18   
     Volume 49  issue 19   
     Volume 49  issue 20   
     Volume 49  issue 21   
     Volume 49  issue 22   
     Volume 49  issue 23   
     Volume 49  issue 24   
     Volume 49  issue 25   
     Volume 49  issue 26   
21. Amorphous thin films of Zn3P2: Preparation and characterization
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  969-970

J. L. Deiss,   B. Elidrissi,   M. Robino,   R. Weil,  

Preview   |   PDF (125KB)

22. Enhancement of film deposition rate due to the production of Si2H6as an intermediate in the photodecomposition of SiH4using an ArF excimer laser
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  971-973

Toshihiro Taguchi,   Masato Morikawa,   Yasuyuki Hiratsuka,   Koichi Toyoda,  

Preview   |   PDF (213KB)

23. Damage calculation and measurement for GaAs amorphized by Si implantation
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  974-976

W. G. Opyd,   J. F. Gibbons,   J. C. Bravman,   M. A. Parker,  

Preview   |   PDF (276KB)

24. Magnetic properties of cobalt nitride thin films
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  977-979

Morito Matsuoka,   Ken’ichi Ono,   Takashi Inukai,  

Preview   |   PDF (172KB)

25. Observation of Ne´el structure walls on the surface of 1.4‐&mgr;m‐thick magnetic films using spin‐polarized scanning electron microscopy
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  980-981

K. Koike,   H. Matsuyama,   K. Hayakawa,   K. Mitsuoka,   S. Narishige,   Y. Sugita,   K. Shiiki,   C. Saka,  

Preview   |   PDF (193KB)

26. 68.4‐T‐long pulse magnet: Test of high strength microcomposite Cu/Nb conductor
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  982-983

S. Foner,  

Preview   |   PDF (171KB)

27. Erratum: Delta‐doped ohmic contacts ton‐GaAs [Appl. Phys. Lett.49, 292 (1986)]
  Applied Physics Letters,   Volume  49,   Issue  15,   1986,   Page  984-984

E. F. Schubert,   J. E. Cunningham,   W. T. Tsang,   T. H. Chiu,  

Preview   |   PDF (17KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第3页 共27条