Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1990
当前卷期:Volume 57  issue 16     [ 查看所有卷期 ]

年代:1990
 
     Volume 56  issue 1   
     Volume 56  issue 2   
     Volume 56  issue 3   
     Volume 56  issue 4   
     Volume 56  issue 5   
     Volume 56  issue 6   
     Volume 56  issue 7   
     Volume 56  issue 8   
     Volume 56  issue 9   
     Volume 56  issue 10   
     Volume 56  issue 11   
     Volume 56  issue 12   
     Volume 56  issue 13   
     Volume 56  issue 14   
     Volume 56  issue 15   
     Volume 56  issue 16   
     Volume 56  issue 17   
     Volume 56  issue 18   
     Volume 56  issue 19   
     Volume 56  issue 20   
     Volume 56  issue 21   
     Volume 56  issue 22   
     Volume 56  issue 23   
     Volume 56  issue 24   
     Volume 56  issue 25   
     Volume 56  issue 26   
     Volume 57  issue 1   
     Volume 57  issue 2   
     Volume 57  issue 3   
     Volume 57  issue 4   
     Volume 57  issue 5   
     Volume 57  issue 6   
     Volume 57  issue 7   
     Volume 57  issue 8   
     Volume 57  issue 9   
     Volume 57  issue 10   
     Volume 57  issue 11   
     Volume 57  issue 12   
     Volume 57  issue 13   
     Volume 57  issue 14   
     Volume 57  issue 15   
     Volume 57  issue 16
     Volume 57  issue 17   
     Volume 57  issue 18   
     Volume 57  issue 19   
     Volume 57  issue 20   
     Volume 57  issue 21   
     Volume 57  issue 22   
     Volume 57  issue 23   
     Volume 57  issue 24   
     Volume 57  issue 25   
     Volume 57  issue 26   
     Volume 57  issue 27   
31. N+doping of gallium arsenide by rapid thermal oxidation of a silicon cap
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1681-1683

D. K. Sadana,   J. P. de Souza,   F. Cardone,  

Preview   |   PDF (371KB)

32. Growth of InGaAs structures usinginsituelectrochemically generated arsine
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1684-1686

D. N. Buckley,   C. W. Seabury,   J. L. Valdes,   G. Cadet,   J. W. Mitchell,   M. A. DiGiuseppe,   R. C. Smith,   J. R. C. Filipe,   R. B. Bylsma,   U. K. Chakrabarti,   K‐W. Wang,  

Preview   |   PDF (331KB)

33. Growth of YBa2Cu3O7thin films on MgO: The effect of substrate preparation
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1687-1689

B. H. Moeckly,   S. E. Russek,   D. K. Lathrop,   R. A. Buhrman,   Jian Li,   J. W. Mayer,  

Preview   |   PDF (359KB)

34. Application of a near coincidence site lattice theory to the orientations of YBa2Cu3O7−xgrains on (001) MgO substrates
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1690-1692

D. M. Hwang,   T. S. Ravi,   R. Ramesh,   Siu‐Wai Chan,   C. Y. Chen,   L. Nazar,   X. D. Wu,   A. Inam,   T. Venkatesan,  

Preview   |   PDF (463KB)

35. Effect of annealing on superconductivity of Pb‐doped Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O single‐crystal superconductors
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1693-1695

Y. Gao,   Y. Li,   K. L. Merkle,   P. Z. Jiang,   Y. C. Chang,   H. Shi,   D. J. Lam,  

Preview   |   PDF (485KB)

36. Femtosecond optical absorption studies of nonequilibrium electronic processes in highTcsuperconductors
  Applied Physics Letters,   Volume  57,   Issue  16,   1990,   Page  1696-1698

J. M. Chwalek,   C. Uher,   J. F. Whitaker,   G. A. Mourou,   J. Agostinelli,   M. Lelental,  

Preview   |   PDF (386KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第4页 共36条