Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1995
当前卷期:Volume 66  issue 12     [ 查看所有卷期 ]

年代:1995
 
     Volume 66  issue 1   
     Volume 66  issue 2   
     Volume 66  issue 3   
     Volume 66  issue 4   
     Volume 66  issue 5   
     Volume 66  issue 6   
     Volume 66  issue 7   
     Volume 66  issue 8   
     Volume 66  issue 9   
     Volume 66  issue 10   
     Volume 66  issue 11   
     Volume 66  issue 12
     Volume 66  issue 13   
     Volume 66  issue 14   
     Volume 66  issue 15   
     Volume 66  issue 16   
     Volume 66  issue 17   
     Volume 66  issue 18   
     Volume 66  issue 19   
     Volume 66  issue 20   
     Volume 66  issue 21   
     Volume 66  issue 22   
     Volume 66  issue 23   
     Volume 66  issue 24   
     Volume 66  issue 25   
     Volume 66  issue 26   
     Volume 67  issue 1   
     Volume 67  issue 2   
     Volume 67  issue 3   
     Volume 67  issue 4   
     Volume 67  issue 5   
     Volume 67  issue 6   
     Volume 67  issue 7   
     Volume 67  issue 8   
     Volume 67  issue 9   
     Volume 67  issue 10   
     Volume 67  issue 11   
     Volume 67  issue 12   
     Volume 67  issue 13   
     Volume 67  issue 14   
     Volume 67  issue 15   
     Volume 67  issue 16   
     Volume 67  issue 17   
     Volume 67  issue 18   
     Volume 67  issue 19   
     Volume 67  issue 20   
     Volume 67  issue 21   
     Volume 67  issue 22   
     Volume 67  issue 23   
     Volume 67  issue 24   
     Volume 67  issue 25   
     Volume 67  issue 26   
41. Nanofabrication of grating and dot patterns by electron holographic lithography
  Applied Physics Letters,   Volume  66,   Issue  12,   1995,   Page  1560-1562

Keiko Ogai,   Yoshihide Kimura,   Ryuichi Shimizu,   Junichi Fujita,   Shinji Matsui,  

Preview   |   PDF (178KB)

42. Micromechanical radiation dosimeter
  Applied Physics Letters,   Volume  66,   Issue  12,   1995,   Page  1563-1565

T. Thundat,   S. L. Sharp,   W. G. Fisher,   R. J. Warmack,   E. A. Wachter,  

Preview   |   PDF (49KB)

43. Erratum: ‘‘Electrical properties of oxides grown on strained SiGe layer at low temperatures in a microwave oxygen plasma’’ [Appl. Phys. Lett. 65, 895 (1994)]
  Applied Physics Letters,   Volume  66,   Issue  12,   1995,   Page  1566-1566

M. Mukhopadhyay,   S. K. Ray,   C. K. Maiti,   D. K. Nayak,   Y. Shiraki,  

Preview   |   PDF (21KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第5页 共43条