Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1996
当前卷期:Volume 68  issue 13     [ 查看所有卷期 ]

年代:1996
 
     Volume 68  issue 1   
     Volume 68  issue 2   
     Volume 68  issue 3   
     Volume 68  issue 4   
     Volume 68  issue 5   
     Volume 68  issue 6   
     Volume 68  issue 7   
     Volume 68  issue 8   
     Volume 68  issue 9   
     Volume 68  issue 10   
     Volume 68  issue 11   
     Volume 68  issue 12   
     Volume 68  issue 13
     Volume 68  issue 14   
     Volume 68  issue 15   
     Volume 68  issue 16   
     Volume 68  issue 17   
     Volume 68  issue 18   
     Volume 68  issue 19   
     Volume 68  issue 20   
     Volume 68  issue 21   
     Volume 68  issue 22   
     Volume 68  issue 23   
     Volume 68  issue 24   
     Volume 68  issue 25   
     Volume 68  issue 26   
     Volume 69  issue 1   
     Volume 69  issue 2   
     Volume 69  issue 3   
     Volume 69  issue 4   
     Volume 69  issue 5   
     Volume 69  issue 6   
     Volume 69  issue 7   
     Volume 69  issue 8   
     Volume 69  issue 9   
     Volume 69  issue 10   
     Volume 69  issue 11   
     Volume 69  issue 12   
     Volume 69  issue 13   
     Volume 69  issue 14   
     Volume 69  issue 15   
     Volume 69  issue 16   
     Volume 69  issue 17   
     Volume 69  issue 18   
     Volume 69  issue 19   
     Volume 69  issue 20   
     Volume 69  issue 21   
     Volume 69  issue 22   
     Volume 69  issue 23   
     Volume 69  issue 24   
     Volume 69  issue 25   
     Volume 69  issue 26   
     Volume 69  issue 27   
41. Study of the leakage field of magnetic force microscopy thin‐film tips using electron holography
  Applied Physics Letters,   Volume  68,   Issue  13,   1996,   Page  1865-1867

B. G. Frost,   N. F. van Hulst,   E. Lunedei,   G. Matteucci,   E. Rikkers,  

Preview   |   PDF (404KB)

42. Comment on ‘‘Iron diffusivity in silicon: Impact of charge state’’ [Appl. Phys. Lett.66, 860 (1995)]
  Applied Physics Letters,   Volume  68,   Issue  13,   1996,   Page  1868-1869

T. Heiser,   A. Mesli,  

Preview   |   PDF (39KB)

43. Response to ‘‘Comment on ‘Iron diffusivity in silicon: Impact of charge state’ ’’ [Appl. Phys. Lett.68, 1868 (1996)]
  Applied Physics Letters,   Volume  68,   Issue  13,   1996,   Page  1870-1871

Sergei Koveshnikov,   George Rozgonyi,  

Preview   |   PDF (40KB)

44. Comment on ‘‘Normal incidence second‐harmonic generation inL‐valley AlSb/GaSb/Ga1−xAlxSb/AlSb stepped quantum wells’’ [Appl. Phys. Lett.65, 2048 (1994)]
  Applied Physics Letters,   Volume  68,   Issue  13,   1996,   Page  1872-1872

M. Zal&slash;uz˙ny,   V. Bondarenko,  

Preview   |   PDF (70KB)

45. Response to ‘‘Comment on ‘Normal incidence second‐harmonic generation inL‐valley AlSb/GaSb/Ga1−xAlxSb/AlSb stepped quantum wells’ ’’ [Appl. Phys. Lett.68, 1872 (1996)]
  Applied Physics Letters,   Volume  68,   Issue  13,   1996,   Page  1873-1873

L. R. Ram‐Mohan,   J. R. Meyer,   H. Xie,   W. I. Wang,  

Preview   |   PDF (42KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第5页 共45条