Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1963
当前卷期:Volume 3  issue 9     [ 查看所有卷期 ]

年代:1963
 
     Volume 2  issue 1   
     Volume 2  issue 2   
     Volume 2  issue 3   
     Volume 2  issue 4   
     Volume 2  issue 5   
     Volume 2  issue 6   
     Volume 2  issue 7   
     Volume 2  issue 8   
     Volume 2  issue 9   
     Volume 2  issue 10   
     Volume 2  issue 11   
     Volume 2  issue 12   
     Volume 3  issue 1   
     Volume 3  issue 2   
     Volume 3  issue 3   
     Volume 3  issue 4   
     Volume 3  issue 5   
     Volume 3  issue 6   
     Volume 3  issue 7   
     Volume 3  issue 8   
     Volume 3  issue 9
     Volume 3  issue 10   
     Volume 3  issue 11   
     Volume 3  issue 12   
1. INFRARED InSb LASER DIODE IN HIGH MAGNETIC FIELDS
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  143-145

R. J. Phelan,   A. R. Calawa,   R. H. Rediker,   R. J. Keyes,   B. Lax,  

Preview   |   PDF (167KB)

2. ZEEMAN TUNING AND INTERNAL MODULATION OF THE CaF2:Dy2+LASER
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  145-148

Zolton J. Kiss,  

Preview   |   PDF (278KB)

3. STACKING FAULTS IN QUENCHED ALUMINUM
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  148-149

J. L. Strudel,   F. Vincotte,   J. Washburn,  

Preview   |   PDF (173KB)

4. THORIUM DIFFUSION IN PYROLYTIC CARBON AND POROUS GRAPHITE
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  150-152

J. Truitt,   G. D. Alton,   C. M. Blood,  

Preview   |   PDF (172KB)

5. MICROWAVE DETECTION AND MIXING USING THE THERMOELECTRIC EFFECT OF HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  153-154

R. I. Harrison,   J. Zucker,  

Preview   |   PDF (116KB)

6. LASER ACTION IN Cl2AND He&sngbnd;Cl2
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  154-155

R. A. Paananen,   C. L. Tang,   F. A. Horrigan,  

Preview   |   PDF (104KB)

7. INTRINSIC‐EXTRINSIC STACKING‐FAULT PAIRS IN EPITAXIALLY GROWN SILICON LAYERS
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  156-157

G. R. Booker,   A. Howie,  

Preview   |   PDF (108KB)

8. ORIGIN OF STACKING FAULT IN EPITAXIALLY GROWN SILICON
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  158-160

G. R. Booker,   R. Stickler,  

Preview   |   PDF (132KB)

9. EFFECT OF AN ELECTRIC FIELD ON CREEP OF MgO SINGLE CRYSTALS
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  160-161

A. S. Neiman,   W. S. Rothwell,  

Preview   |   PDF (117KB)

10. THE EFFECT OF UNIAXIAL STRAIN ON THE THRESHOLD CURRENT AND OUTPUT OF GaAs LASERS
  Applied Physics Letters,   Volume  3,   Issue  9,   1963,   Page  162-163

F. M. Ryan,   R. C. Miller,  

Preview   |   PDF (113KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第1页 共14条