Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1966
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1. DENSITY OF SiO2&sngbnd;Si INTERFACE STATES
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  31-33

Peter V. Gray,   Dale M. Brown,  

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2. SPOT PATTERNS AND SILSBEE CHAINS ON A Cu SINGLE CRYSTAL
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  33-36

D. E. Harrison,   J. P. Johnson,   N. S. Levy,  

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3. PRESSURE DEPENDENCE OF THE IODINE PHOTODISSOCIATION LASER PEAK OUTPUT
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  36-38

M. A. Pollack,  

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4. FLUX JUMPS AND TRAINING EFFECT IN MULTILAYER Nb&sngbnd;Zr SUPERCONDUCTING COIL
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  38-40

M. Iwamoto,   N. Kaneseki,   T. Kawai,  

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5. ULTRASONIC SURFACE‐WAVE AMPLIFICATION IN CADMIUM SULFIDE
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  40-42

R. M. White,   F. W. Voltmer,  

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6. TWO‐BEAM INTERFEROMETRY BY SUCCESSIVE RECORDING OF INTENSITIES IN A SINGLE HOLOGRAM
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  42-44

George W. Stroke,   Antoine E. Labeyrie,  

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7. GHOST IMAGING BY HOLOGRAMS FORMED IN THE NEAR FIELD
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  44-46

R. J. Collier,   K. S. Pennington,  

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8. IMPLANTATION PROFILES FOR 40‐keV PHOSPHORUS IONS IN SILICON SINGLE‐CRYSTAL SUBSTRATES
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  46-48

James F. Gibbons,   A. El‐Hoshy,   K. E. Manchester,   F. L. Vogel,  

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9. FREQUENCY DEPENDENCE OF THE IMPEDANCE OF DISTRIBUTED SURFACE STATES IN MOS STRUCTURES
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  48-50

K. Lehovec,  

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10. Gd2(MoO4)3: A FERROELECTRIC LASER HOST
  Applied Physics Letters,   Volume  8,   Issue  2,   1966,   Page  50-52

Hans J. Borchardt,   Paul E. Bierstedt,  

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