Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1969
当前卷期:Volume 14  issue 10     [ 查看所有卷期 ]

年代:1969
 
     Volume 14  issue 1   
     Volume 14  issue 2   
     Volume 14  issue 3   
     Volume 14  issue 4   
     Volume 14  issue 5   
     Volume 14  issue 6   
     Volume 14  issue 7   
     Volume 14  issue 8   
     Volume 14  issue 9   
     Volume 14  issue 10
     Volume 14  issue 11   
     Volume 14  issue 12   
     Volume 15  issue 1   
     Volume 15  issue 2   
     Volume 15  issue 3   
     Volume 15  issue 4   
     Volume 15  issue 5   
     Volume 15  issue 6   
     Volume 15  issue 7   
     Volume 15  issue 8   
     Volume 15  issue 9   
     Volume 15  issue 10   
     Volume 15  issue 11   
     Volume 15  issue 12   
1. ELECTRON BEAM CHANNELING IN SINGLE‐CRYSTAL SILICON BY SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  299-300

E. D. Wolf,   T. E. Everhart,  

Preview   |   PDF (135KB)

2. TEMPERATURE AND FREQUENCY DEPENDENCE OF MICROWAVE ELASTIC LOSSES IN &bgr;‐RHOMBOHEDRAL BORON FOR LONGITUDINAL WAVES ALONG THEcAXIS
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  301-302

J. D. Young,   D. W. Oliver,   G. A. Slack,  

Preview   |   PDF (155KB)

3. THE INFLUENCE OF WEAK rf FIELDS ON SCINTILLATION RISE TIMES
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  303-304

A. M. Short,   J. B. Dance,  

Preview   |   PDF (144KB)

4. DETERMINATION OF INTERNAL ELECTRIC FIELDS IN SILICON DIOXIDE LAYERS BY OPTICAL PROBING
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  304-305

H. A. Protschka,   F. Frankovsky,  

Preview   |   PDF (131KB)

5. OPTICAL SECOND‐ AND THIRD‐HARMONIC GENERATION IN CHOLESTERYL NONANOATE LIQUID CRYSTAL
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  306-308

Lawrence S. Goldberg,   Joel M. Scnnur,  

Preview   |   PDF (244KB)

6. A NEW NEGATIVE MAGNETO‐RESISTANCE EFFECT IN GERMANIUM
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  308-310

V. L. Newhouse,   E. S. Furgason,   T. D. Ellis,  

Preview   |   PDF (166KB)

7. CONDUCTIVITY AND HALL MOBILITY OF ION‐IMPLANTED SILICON IN SEMI‐INSULATING GALLIUM ARSENIDE
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  311-313

James D. Sansbury,   James F. Gibbons,  

Preview   |   PDF (224KB)

8. ANNEALING CHARACTERISTICS OFn‐TYPE DOPANTS IN ION‐IMPLANTED SILICON
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  313-315

B. L. Crowder,   F. F. Morehead,  

Preview   |   PDF (196KB)

9. INTERNAL FLUX MOTION IN LARGE JOSEPHSON JUNCTIONS
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  316-318

A. C. Scott,   W. J. Johnson,  

Preview   |   PDF (205KB)

10. MULTIPHOTON EXCITATION OF FLUORESCENCE IN STANDING LIGHT WAVES AND MEASUREMENT OF PICOSECOND PULSES
  Applied Physics Letters,   Volume  14,   Issue  10,   1969,   Page  318-320

K. H. Drexhage,  

Preview   |   PDF (227KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第1页 共16条