AIP Conference Proceedings


ISSN: 0094-243X        年代:1988
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年代:1988
 
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1. Implications of the toxicity of tetramethyltin, dimethyl tin dichloride, and tin tetrachloride in selecting a suitable tin precursor in the chemical vapor deposition of tin oxide
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  1-9

Roy G. Gordon,   James W. Prescia,  

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2. Safety advantages of a CDTE based PV module plant
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  10-18

M. Doty,   P. Meyers,  

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3. Liquid sources of arsenic for thin‐film semiconductor deposition
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  19-28

R. G. Wolfson,  

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4. Safer growth of GaAs using trimethyl arsenic
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  29-34

Larry D. Partain,   Robert E. Weiss,   Paul S. McLeod,  

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5. Replacements for arsine and phosphine in MOCVD processing
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  35-43

Donald Valentine,  

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6. Exposure and control assessment of semiconductor manufacturing
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  44-53

James H. Jones,  

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7. Toxicology of tetramethyltin and other organometals used in photovoltaic cell manufacture
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  54-66

L. D. Hamilton,   W. H. Medeiros,   P. D. Moskowitz,   K. Rybicka,  

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8. Medical surveillance and biologic monitoring of personnel in semiconductor research facilities
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  67-72

G. Krieger,   R. Cambridge,  

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9. The role of unusual occurrence reports in incident analysis in the photovoltaic industry
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  73-78

S. Thompson,  

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10. Control of accidental releases of hydrogen selenide in vented storage cabinets
  AIP Conference Proceedings,   Volume  166,   Issue  1,   1988,   Page  79-88

V. M. Fthenakis,   P. D. Moskowitz,   R. D. Sproull,  

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