11. |
E. A. KANER, V. G. SKOBOV. Plasma Effects in Metals: Helicon and Alfvén Waves. 142 Seiten, 38 Abbildungen. £ 2.50 Taylor&Francis Ltd., London 1971 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 27-27
H. Neumann,
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PDF (56KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070148
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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12. |
LANDOLT‐BÖRNSTEIN. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik Neue Serie, Gruppe III: Kristall‐ und Festkörperphysik, Band 6: P. ECKERLIN, Aachen und H. KANDLER, BURGHAUSEN Strukturdaten der Elemente und intermetallischen Phasen. XXVIII, 1019 Seiten. Leinen DM 620, ‐ Berlin ‐ Heidelberg ‐ New York. Springer‐Verlag 1971 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 29-30
G. E. R. Schulze,
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PDF (87KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070149
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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13. |
R. E. HUMMEL. Optische Eigenschaften von Metallen und Legierungen Mit einer Einführung in die Elektronentheorie der Metalle (Reine und angewandte Metallkunde in Einzeldarstellungen Herausgegeben von W. KÖSTER, Band 22). 154 Abb. VIII, 222 Seiten. Gebunden DM 68,‐ US $ 19,70 Springer‐Verlag Berlin‐Heidelberg‐New‐York 1971 ISBN 3‐540‐05234‐8 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 31-31
G. E. R. Schulze,
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PDF (82KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070150
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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14. |
Morphology of Germanium Whiskers |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 37-41
E. I. Givargizov,
N. N. Sheftal,
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PDF (331KB)
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摘要:
AbstractThe morphology of germanium whiskers grown by the VLS technique in chloride process is studies. It is shown that the whiskers can be grown in this process over a wide temperature range. The effect of surface active impurities on the morphology and the growth direction of whiskers is studied.
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070107
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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15. |
Nichtstationäre Keimbildung: Theorie und Experiment |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 43-73
S. Toschev,
I. Gutzow,
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PDF (1553KB)
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摘要:
AbstractVorliegende Arbeit gibt einen zusammenfassenden Bericht zur Kinetik der Keimbildung, wobei besonders der nichtstationäre Verlauf dieses Prozesses untersucht wird. Auf Grund einer eingehenden Diskussion des Keimbildungsmechanismus wird. der Einfluß aktiver Unterlagen, wie auch die Art der Ausgangs‐ und der sich bildenden neuen Phase auf die nichtstationäre Zeitverzögerung berechnet. In diesem Zusammenhang werden auch einige Wahrscheinlichkeitsaspekte der homogenen und heterogenen Keimbildung erörtert und die Einwirkung nichtstationärer Effekte auf das Kristallwachstum und den summarischen Kristallisationsverlauf studiert. Die theoretischen Schlußfolgerungen werden mit dem Experiment verglichen, wobei hauptsächlich Nachdruck auf methodische Probleme gelegt wird. Zwei experimentelle Beispiele ‐ die elektrolytische Keimbildung von Metallen und die angeregte Kristallisation von Gläsern werden eingehende
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070108
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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16. |
On the Distribution of Impurities during Crystal Growth |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 75-78
R. Kaischew,
S. Stoyanov,
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PDF (126KB)
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摘要:
AbstractThe distribution of impurities in crystalls growing by spiral mechanism is obtained on the assumption that the “impure” atom mobility in the crystal is small. This distribution depends on the adsorption energy as well as on the supersaturation which is supposed to be constant along the growth fr
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070109
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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17. |
Evaporation of Zinc Single Crystals |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 79-93
D. Iwanov,
Chr. Nanev,
R. Kaischew,
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PDF (897KB)
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摘要:
AbstractThe dislocation nature of defects leading to local evaporation of the {0001} face of zinc single crystals is proved. Two kinds of pits appear on the emergence points of dislocations, upon heating the crystals in vacuum, that is, hexagonal ones on screw dislocations and conical ones on edge dislocations (and probably on impurities). Hexagonal pits appeared at the growth points of whiskers upon evaporation. This is in excellent agreement with the assumption that whiskers grow by a screw dislocation mechanism.Deepening and broadening of the pits were studied by interferometry. It was found that the change in profile with time can be described by the equations ofFrank's kinematic theory. The same theory was used to calculate the step flux along the basal face of zinc single crystals upon evaporation at 250, 270, and 290°C. The rate of advance of unit steps was determined from the flux and compared with the theoretically expected one. The temperature dependence of this rate made it possible to estimate the vibrational frequency of the atoms in the crystal lattice as well as the evaporation heat of zinc. The reasonable values obtained demonstrate the correctness of the interpretation of the experimental data
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070110
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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18. |
Beiträge zum Ätzen von Galliumarsenid (II) Zur Kinetik der Auflösung von GaAs |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 95-106
R. Voigt,
H. Neels,
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PDF (610KB)
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摘要:
AbstractUntersucht wird die Kinetik der Auflösung von {111}‐ und {100}‐Ebenen von GaAs in NaClO‐ und HNO3‐Lösungen sowie im HF/CrO3‐Lösungssystem. Dazu werden Auflösungsgeschwindigkeiten bestimmt und mit Hilfe der Arrhenius‐Gleichungw=C·e −E A/RTAktivierungsenergien und Geschwindigkeitskonstanten angenähert ermittelt. Es ergeben sich Anhaltspunkte für den geschwindigkeitsbestimmenden Schritt (Diffusion ‐ Konvektion, heterogene chemische Reaktion). Bei der Auflösung von GaAs können je nach Art des Mediums (Konzentrationen) Diffusion oder chemische Reaktion geschwindigkeitsbestimmend sein. In manchen Fällen läßt sich aus der Größe der Geschwindigkeitskonstanten das Erscheinen oder Nichterscheinen von Ätzgruben verstehen. Die Auflösungsgeschwindigkeitwfür sich allein gestattet keine zuverlässige Aussage über die Wahrsc
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070111
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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19. |
Clusterbildung ‐ ein stochastischer Prozeß |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 107-114
Ch. Ullner,
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PDF (336KB)
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摘要:
AbstractDie relative Schwankung der Clusterdichte wird näherungsweise berechnet. Das verwendete Modell beschreibt einen einfachen Hochvakuum‐Aufdampfvorgang und enthält lediglich die Adatomkonzentrationn1und die ClusterdichtenC. Im stationären Fall ist das Ergebnis Gleichung (14), in die repräsentative numerische Werte eingesetzt werden. Das numerische Ergebnis zeigt, daß in speziellen Fällen die Clusterdichteschwankungen zu berücksichtigen sind, falls Theorie und Experiment vergliche
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070112
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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20. |
Der Einfluß der kritischen Clustergröße auf die Clustergrößenverteilung und die Clusterdichte |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 1‐3,
1972,
Page 115-121
Ch. Ullner,
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PDF (297KB)
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摘要:
AbstractDie Kondensationstheorie für den Falli* = 1 vonZINSMEISTERwird um Zerfallsprozesse kleiner Cluster erweitert. Dabei verlängert sich die stationäre Phase der Adatomkonzentration. Das von τaunabhängige Maximum wird größer. In der Wachstumsphase verringert sich der Abfall der Adatomkonzentrationen unabhängig voni* (Fig. 1). Die Clusterdichte ist bei Berücksichtigung von Zerfallsprozessen kleiner und zeigt mit wachsendemi* eine Tendenz zur Sättigung (Fig. 2), Der Maximalwert in der Clustergrößenverteilung sinkt mit wachsendemi*, ist meist nach größerenihin verschoben und sein Plateau ist bre
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070113
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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