1. |
Die Struktur von Zeolithen der Faujasitgruppe |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 577-590
H. Pfeifer,
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摘要:
AbstractNach einer kurzen Einführung in die Geschichte, Bedeutung und Klassifizierung der als Zeolithe bezeichneten porösen Kristalle wird ein Überblick über den gegenwärtigen Stand der Kenntnis vom Aufbau der zur Faujasitgruppe gehörenden wichtigsten synthetischen Zeolithe (A‐, X‐ und Y‐Typ
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110602
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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2. |
Initial stage and kinetics of epitaxial film growth of A3B5compounds |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 591-605
L. N. Aleksandrov,
E. A. Krivorotov,
Ju. G. Sidorov,
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摘要:
AbstractThermodynamic and kinetic characteristics of GaAs film decomposition, mechanisms of film formation and growth, main features of the film growth under epitaxy in chemical transport were considered. The stages of epitaxial film growth and the relief smoothing of film surface were discussed applying data of electron microscopy investigations and theoretical considerations. The period of continuous film formation and degrees of the surface covering of the film growth by adsorbed substance were estimated.
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110603
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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3. |
Point symmetry of crystals containing a straight screw dislocation |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 607-613
P. Paufler,
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摘要:
AbstractThe point symmetries at the core of a straight screw dislocation have been tabulated for 85 different types of glide systems. A comparison with experimental data on glide systems suggests that high symmetry of the linear defect may be one factor (in addition to others) determining a glide system.
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110604
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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4. |
Etch figures and crystal structures |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 615-623
W. A. Wooster,
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摘要:
AbstractThe etch figures on some of the naturally occurring faces of crystals of sodium chloride, cuprite, alpha‐quartz, tourmaline and topaz are compared with the atomic arrangements on the etched surfaces. The etch figures are influenced in their shape and orientation relative to the natural faces by a number of factors. One of these factors is the crystal structure. In every example of an etched pit bounded by straight edges, it was found that there exists in the crystal structure a continuous chain of relatively strong inter‐atomic bonds, running parallel to the straight edge. The study of tourmaline indicates the direction in which all the SiO4tetrahedra are pointing relative to the external f
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110605
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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5. |
The effect of pH on the growth of the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate crystals |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 625-628
R. J. Davey,
J. W. Mullin,
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摘要:
AbstractThe velocity and shape of growth layers on the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate (ADP) crystals growing in aqueous solution atpH = 5.0 are compared with those previously reported for growth atpH = 3.8. The results are interpreted in terms of the adsorption of hydrated hydroxonium ions on the crystal surface.
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110606
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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6. |
Crystallization of amorphous germanium films |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 629-633
N. N. Sirota,
W. A. Denis,
L. S. Unyarkha,
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摘要:
AbstractKinetics of isothermal crystallization has been studied in the temperature range from 375 to 525°C. The kinetic curves are obtained and the rate of isothermal transformation of amorphous films into crystalline ones has been determined. Using experimentally determined kinetic curves the stability diagram of the amorphous films has been plotted in the temperature range from 400 to 525°C. The value of effective activation energy has been define
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110607
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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7. |
Untersuchungen zum Kristallwachstum in der Hochtemperaturlösung mit Hilfe der differentiellen Thermoanalyse |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 635-644
K. Fischer,
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摘要:
AbstractEs wird eine DTA‐Apparatur beschrieben, mit der die Löslichkeit von Granaten in Hochtemperaturlösungen bestimmt wurde. Dabei ist besonders darauf zu achten, daß die Temperaturmessung in unmittelbarer Nähe des Kristallisationsortes durchgeführt wird. Die Sättigungstemperaturen sind mit einem Fehler von ≦ 10 grd behaftet.Das Lösungsmittel setzte sich aus PbO, PbF2und B2O3zusammen. Es wurden Löslichkeitskurven von Granaten der Zusammensetzung Y3Fe5−xMxO12(M = Ga, Al, In, Cr;x= 0 …︁ 5) und Gd3Ga5O12gemessen. Sofern Ergebnisse anderer Autoren vorliegen, stimmen sie gut mit den eigenen Messungen überein.Habitus und chemische Analyse der gebildeten Kristalle geben Auskunft über entstandene Phasen und deren Zusammensetzung. Im Zusammenhang mit der Löslichkeit kann daraus die Eignung eines Lösungsmit
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110608
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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8. |
Der Einfluß der Rauhigkeit der Probenoberfläche auf die Ergebnisse ellipsometrischer Messungen bei GaAs |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 645-652
K. Löschke,
G. Kühn,
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摘要:
AbstractDie Ergebnisse ellipsometrischer Messungen an GaAs zeigen einige Diskrepanzen. Diese Tatsache wird auf Oberflächenrauhigkeiten zurückgeführt und an Hand eines einfachen Modells diskutiert. Es wird gezeigt, in welcher Art und Weise eine rauhe Oberfläche die ellipsometrisch gemessene Filmdicke und den Brechungsindex beeinfl
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110609
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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9. |
Einfluß heißer Ladungsträger auf die Donator‐Akzeptor‐Paar‐Rekombination |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 653-658
T. Hänsel,
A. Zehe,
R. Schwabe,
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摘要:
AbstractDer Einfangquerschnitt σ =AR2, wie er üblicherweise bei der Berechnung der Donator‐Akzeptor‐Paar Rekombination Verwendung findet, wird in einer modifizierten Form unter Berücksichtigunng des direkten Einfangs heißer Elektronen eingeführt. Die anregungsabhängige Verschiebung der energetischen Lage des Emissionsbandenmaximums der Donator‐Akzeptor‐Paar Rekombination erweist sich als geeignete Sonde, um den Einfluß hoch angeregter Elektronen auf den Ladungsträgereinfang zu studieren. Es wird gezeigt, daß sich der Einfang heißer Elektronen in einer anregungsabhängigen Peakverschiebung bem
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110610
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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10. |
Refinement of wave‐functions of valence electrons of diamond using experimental compton profiles |
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Kristall und Technik,
Volume 11,
Issue 6,
1976,
Page 659-662
N. N. Sirota,
A. F. Revinsky,
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PDF (223KB)
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摘要:
AbstractRefinement of wave‐functions of valence electrons of diamond is performed using the available experimental Compton profiles obtained by the data on X‐ray and γ‐ray scattering. The wave‐function of valence electrons is taken in the approximation of sp3‐hybridization. Atomic scattering factors predicted by the refined wave‐functions are in a satisfactory agreement with the experimental data (Göttl
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19760110611
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1976
数据来源: WILEY
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