1. |
The growth of gallium arsenide films from a thin solution layer between substrates |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1103-1112
Yu. B. Bolchovitianov,
R. I. Bolchovitianova,
P. L. Melnikov,
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PDF (460KB)
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摘要:
AbstractThe method of GaAs film growth from a solution between two substrates was considered.The calculated thickness as a function of growth temperature and distance between substrates was in a good agreement with experimental results.The investigation of the film roughness as a function of cooling rate, distance between substrates and their orientations was fulfilled.Electrical properties of the films as a function of substrate orientations in the interval (100)–(111)–(011) were demonstrated. The possibility of application of this method for the investigation of film doping as a function of temperature and growth rate was sh
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081002
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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2. |
Zur Züchtung von Einkristallen oxidischer Verbindungen für die Quantenelektronik nach der Methode des optischen Zonenschmelzens |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1113-1118
P. A. Arsenjev,
M. N. Baranov,
K. Bienert,
E. F. Kustov,
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PDF (320KB)
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摘要:
AbstractEs werden die wichtigsten Systeme der Strahlungsfokussierung für Anlagen zur Einkristallzüchtung nach der Methode des optischen Zonenschmelzens betrachtet und Angaben über oxidische Verbindungen gemacht, von denen Kristalle nach der genannten Methode gezogen wurden. Die wichtigsten Etappen verschiedener Aufbereitungstechnologien für die Ausgangssubstanzen und die Methodiken der Züchtung und Bestimmung der strukturellen Güte der hergestellten Kristalle werden disku
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081003
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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3. |
Electron microscope study of cellular precipitation in ferritic iron‐zinc alloys |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1119-1124
St. Budurov,
Kr. Russev,
G. Zlateva,
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PDF (277KB)
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摘要:
AbstractCellular precipitation in Fe/Zn system was studied by electron microscope methods.Experimental results, obtained by Speich, Predel and Frebel and the present authors were used to test equation (3) of Cahn's theory.The value of the specific surface energy σ of the Γ‐ferrite interface was determined to be about 2960 erg. c
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081004
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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4. |
Phasenbildung in Ni/Si‐Schichten |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1125-1129
U. Beck,
H.‐G. Neumann,
G. Becherer,
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PDF (298KB)
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摘要:
AbstractNi‐bedampfte amorphe Si‐Schichten werden während des Temperns im Elektronenmikroskop untersucht. Es wird gezeigt, daß im Verlauf des Diffusionsprozesses in Abhängigkeit vom Ni‐Anteil and der Schicht acht Phasen gebildet werden. Generell entstehen zunächst metallarme Verbindungen. Aus den Ergebnissen wurde geschlossen, daß die Phasenumwandlungen kinetisch und nicht thermodynamisch be
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081005
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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5. |
Mikronalytische Untersuchungen an metallkarbidbeschichteten Werkstoffen |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1131-1139
L. Küchler,
E. Mey,
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PDF (693KB)
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摘要:
AbstractEs wird über Ergebnisse metallographischer und mikroanalytischer Untersuchungen an Querschliffen metallkarbidbeschichteter Eisenwerkstoffe berichtet. Die Klärung des Schichtaufbaues, die Verteilung der schichtbildenden Komponenten und der Einfluß des Grundwerkstoffes auf den Beschichtungsvorgang werden dargele
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081006
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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6. |
TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP2‐Einkristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1141-1151
M. Pasemann,
P. Klimanek,
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PDF (770KB)
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摘要:
AbstractEs wird über TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP2‐Einkristallen berichtet. Nach dem Kristallwachstum wurden Versetzungen oder Stapelfehler nur gelegentlich gefunden. Zwillinge traten häufiger auf. Die kristallographischen Elemente der Zwillingsbildung lauten {112} 〈111〉.Nach einer plastischen Biegeverformung bei 900 °C wurden örtlich Versetzungskonfigurationen mit hoher Defektdichte (Nv≈ 106…︁ 107cm−2) beobachtet. Anhand des Beugungskontrastes konnte ein Burgersvektorb= 1/2 〈111〉 identifiziert werden. In manchen Fällen enthielten die Kristalle auch ausgedehnte Deformationsstapelfehler, die von Teilversetzungen begrenzt waren. Die Zwillingsdichte erhöhte sich unter den gewählten Verformungsbedingungen nicht.Aus Untersuchungen von Oettel et. al. und den Ergebnissen der Zwillingsanalyse kann geschlossen werden, daß die Gleitung und die Stapelfehlerbildung im ZnSiP2{112}‐Ebenen stattfinden. Zu beiden Vorgängen werden kristallograp
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081007
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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7. |
Electron probe microanalysis and X‐ray diffraction of nitrides, oxides, and sulfides in steels |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1153-1158
E. Barszcz,
T. Bołd,
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PDF (494KB)
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摘要:
AbstractThe aim of the present work was to show the possibilities for the determination of the chemical and phase composition of oxygen, nitrogen and sulphur compounds in steels by a parallel application of electron microanalysis and X‐ray structure analysis methods. The application of both methods makes it possible to identify composed phases with regard to the chemical composition, i. e. solid solutions of oxygen and nitrogen in precipitations and inclusions occurring in stee
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081008
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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8. |
Emissionsmikroskopische Untersuchungen zur plastischen Verformung und Versetzungsmarkierung an NbFe2 |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1159-1163
K. Bewilogua,
R. Reichelt,
K. Wetzig,
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PDF (339KB)
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摘要:
AbstractMit Hilfe eines Kompressionszusatzes für das Emissionselektronenmikroskop erfolgte die homogene plastische Verformung der Lavesphase NbFe2. Im Zusammenhang damit wurden Untersuchungen über die Möglichkeit einer Markierung von Versetzungsdurchstoßpunkten mittels thermischer Behandlung unter den Bedingungen im Emissionsmikroskop durchgeführt.Gleitspuren auf den Oberflächen sind erst oberhalb einer kritischen Temperatur, bei welcher der Übergang spröde‐duktil erfolgt, zu beobachten. Beim Glühen der Proben im Hochvakuum entstehen Oxidkeime auf der Oberfläche. Diese scheinen an Durchstoßpunkten von Versetzungen zu entstehen. Bei plastisch verformten Proben markieren diese Oxidkeime die
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081009
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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9. |
Ergebnisse raster‐elektronenmikroskopischer Untersuchungen zur Bruchentstehung und Bruchausbreitung in Fe‐Cr‐Legierungen |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1165-1174
J. Richter,
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PDF (880KB)
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摘要:
AbstractMit Hilfe des Rasterelektronenmikroskopes wurden die Bruchflächen einer Fe‐25%‐Cr‐Legierung untersucht, wobei die Bruchkeime gefunden und Aussagen über mikroskopische Prozesse der Bruchausbreitung erhalten werden konnten. In den meisten Fällen ging der Bruch von Korngrenzen aus, die mit Karbid‐ und/oder Nitridausscheidungen bedeckt waren und unter der Einwirkung einer Normalspannung aufrissen. Von solchen geöffneten Korngrenzen breitete sich der Bruch im allgemeinen transkristallin durch die Ferritmatrix aus. Auch oxidische Einschlüsse wurden als Bruchkeime ermittelt, jedoch ist ihre bruchauslösende Wirkung weniger kritisch als die der Karbid‐ und Nitridausscheidungen. In Verbindung mit den mechanischen Eigenschaften der Fe‐25%Cr‐Legierung veranschaulichen die Resultate, daß dieser Werkstoff nur dann hinreichend duktil ist, wenn Kohlenstoff‐ und Stickstoffgehalt unterhalb k
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081010
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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10. |
Der Kanteneffekt als Fokussierungshilfe in Elektronensondengeräten |
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Kristall und Technik,
Volume 8,
Issue 10,
1973,
Page 1175-1180
H. D. Bauer,
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PDF (447KB)
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摘要:
AbstractIm Rastermikroskop mit Rückstreuelektronen werden Oberflächenstufen durch helle Konstrastsäume markiert, wenn ihre senkrechte Flanke zum Elektronenauffänger hinzeigt. An Hand der Everhartschen Theorie der Rückstreuung wird die Größe des Effektes untersucht und seine Abhängigkeit von der Materialart des Objekts, der Lage des Auffängers und der Breite der Sonde diskutiert. Mit seiner Hilfe läßt sich das Scharfstellen der Sonde auf eine Intensitätsmessung z
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19730081011
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1973
数据来源: WILEY
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