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| 1. |
Überschreitung der Phasengrenzen in β1‐Cu‐Zn‐Mischkristallen bei isothermer Auslagerung |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 113-117
G. Kunze,
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PDF (204KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071013
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 2. |
Kohärenzstabilisierung metastabiler Gitterzustände ‐ am Beispiel von β1‐Cu‐Zn‐Mischkristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 119-120
G. Kunze,
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PDF (126KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071014
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 3. |
Infrared and Raman Spectra of Crystals. 366 Seiten, £ 8.50 Academic Press, London and New York 1972 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 121-122
G. Geiseler,
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PDF (118KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071015
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 4. |
H. BANK, Aus der Welt der Edelsteine. 192 Seiten mit 106 z.T. ganzseitigen Farbfotos, Format 18 × 24 cm, Leinen, DM 48, – Umschau Verlag, Frankfurt/Main u. Pinguin Verlag, Innsbruck 1971 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 122-122
Kh. Lohs,
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PDF (59KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071016
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 5. |
J. LADURNER, F. PURTSCHELLER, Das große Mineralienbuch. 2. durchgesehene Auflage, 200 Seiten, 98 Abbildungen mit Härte‐ und Bestimmungstabellen, Format 18 × 24 cm, Leinen, DM 29, 80 Umschau Verlag, Frankfurt/Main und Pinguin Verlag, Innsbruck 1971 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 123-123
Kh. Lohs,
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PDF (57KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071017
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 6. |
J.‐H. SCHARF, Physik und Chemie der Kristalloberfläche. Vortragstagung vom 8. bis 10. Oktober 1966 in Halle VI/446 Seiten, 30 Tabellen, 220 Abbildungen, 442 Literaturzitate. Plastikband M 59. ‐ Johann Ambrosius Barth, Leipzig 1969 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 124-125
H. Neels,
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PDF (126KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071018
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 7. |
Jaroslav NYVLT, Industrial Crystallisation from Solutions. 189 Seiten, 17 Tabellen, 49 Abbildungen, 1315 Literaturzitate. Preis geb. £ 5.50 Butterworth London 1971 |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 125-126
H. Neels,
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PDF (80KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071019
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 8. |
Zur Abschätzung physikalischer und physikalisch‐chemischer Daten von AlBV‐Verbindungen mit Zinkblendestruktur |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 1077-1088
G. Kühn,
A. Leonhardt,
K. Hübner,
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PDF (516KB)
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摘要:
AbstractDie AlBV‐Verbindungen nehmen unter den AIIIBV‐Verbindungen bezüglich der mit der Gitterkonstante verknüpften Eigenschaften eine gewisse Sonderstellung ein. Dieses Verhalten wird mit der Abwesenheit vom Rumpf‐d‐Elektronen beim Aluminium in Zusammenhang gebracht. Die Kompressibilitäten von AlP, AlAs und AlSb lassen sich in guter Übereinstimmung mit berechneten Werten aus der Abhängigkeit von Gitterkonstante und der Mikrohärte abschätzen. Weiterhin werden Zusammenhänge zwischen Gitterkonstanten, Molmasse, Bandstrukturparametern, Bildungswärmen und Oberflächenenergien diskutiert. Die von Phillips für AlSb angegebene Ionizität der chemischen Bindung wird korrigiert und der Nichtlinearitätsparameter des Energiegaps für Al‐haltige Mischkristalle aus der Differenz der Atomradien der
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071002
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 9. |
Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs‐, GaP‐ und GaAsP‐Schichten |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 1089-1100
E. Deml,
J. Talpová,
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PDF (541KB)
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摘要:
AbstractEs werden die Möglichkeiten der Gewinnung vonn‐ undp‐leitenden GaAs‐, GaAsP‐ und GaP‐Schichten und vonp‐n‐Übergängen mit Hilfe des chemischen Transports nach dem Nahabstandsverfahren geprüft. Als entscheidend für das einkristallinie Wachstum der Schichten (bei Temperaturen von 800‐1070°C) wurde der Temperaturgradient zwichen Quelle und Substrat festgestellt. Er muß<60 grd · cm−1sein. Die Abweichungen der Orientierung der GaP‐ und GaAsP‐Schichten von der Unterlage betrugen weniger als 1°. Gleichzeitig mit der Abscheidung der Schichten wird das Substrat auf der Unterseite angeätzt, wodurch zusätzlich As in die Schichten gelangen kann. Das führt zu einer Veränderung des Lumineszenzspektrums desp‐n‐Übergangs. Es wurden verschiedene Spektren aufgenommen. Te‐dotierte Schichten wurden aus Te‐dotierten Quellen erhalten und deren elektrische Eigenschaften ermittelt. P‐n‐Überg
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071003
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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| 10. |
Ein einfaches Verfahren zur Herstellung reiner und dotierter CdF2‐Kristalle |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 10,
1972,
Page 1101-1108
E. Brink,
D. Becker,
J. Teltow,
K. Tempelhoff,
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PDF (459KB)
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摘要:
AbstractDie Reindarstellung von CdF2und die Kristallherstellung aus der Schmelze nach Bridgman wird ausführlich beschrieben. Die Aggressivität der Schmelze stellt besondere Anforderungen an Tiegelmaterial und Schutzgas. Durch Zonenreinigung erreicht man die spektralanalytische Nachweisgrenze der Verunreinigungen (≈ 1 ppm). Hinweise auf mechanische, thermische und chemische Eigenschaften und die Weiterverarbeitung der Kristalle werden gege
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720071004
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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