ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111217

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractEs wird eine Methode zur Berechnung der Kinetik der spontanen Kristallisation für den Fall dargestellt, in dem die lineare Wachstumsgeschwindigkeit nicht nur von der Übersättigung abhängt, sondern der Größe der Kristalle umgekehrt proportional ist (Diffusionsbereich). Die Grenzfälle einer schwachen und einer stark ansteigenden Abhängigkeit der spontanen Keimbildung von der Übersättigung werden analysiert. Ohne sekundäre Keimbildung erhält man ein Kristallisationsprodukt, das in seiner Kornzusammensetzung nahezu mono

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111202

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractWachstumsgeschwindigkeiten für die Basis‐ und die Prismenflächen von Graphitkristallen werden in Abhängigkeit von der Überschreitung unter der Voraussetzung berechnet, daß die Flächen bei hohen Überschreitungen über zweidimensionale Keimbildung aus einer Eisen—Kohlenstoff‐Schmelze wachsen. Es zeigt sich, daß in der Nähe des Gleichgewichts Prismenflächen schneller als Basisflächen wachsen. Bei hohen Überschreitungen kehrt sich dagegen das Verhältnis der Wachstumsgeschwindigkeiten um. Diese Ergebnisse sind geeignet, die unterschiedlichen Graphitformen in G

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111203

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractBei der Züchtung von Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase bilden sich häufig Hohlformen. Diese Erscheinung erschwert bzw. verhindert vorgesehene experimentelle Studien. Untersuchungen zur Überwindung dieser Schwierigkeiten werden beschrieben. Ursachen des Hohlwachstums sind, wie aus den Beobachtungen von Oberflächenstörungen und aus zielgerichteten Züchtungsexperimenten hervorgeht, Wachstumsinstabilitäten, hervorgerufen durch diffusionsbedingte Inhomogenität der Überschreitung über der Wachstumsfront. Durch die Einführung besonderer Verfahrensweisen der Züchtung und Wahl bestimmter Parameter gelang es, volle Kristalle größerer Abmessungen, bis zu einem Millimeter in Querrichtung, zu erhalten. Veröffentlichungen zum Hohlwachstum anderer Substanzen aus der Gasphase

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111204

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractIn der Arbeit wird das Elektronenstrahlverdampfen von Metallen in einem Vakuumsystem untersucht, welches eine zusätzliche innere Kammer aufweist. Diese ist mit der äußeren Kammer durch eine Öffnung geringer Leitfähigkeit verbunden, durch die ein begrenzter Gasaustausch erfolgen kann. In der inneren Kammer werden Bedingungen realisiert, die mit den Kondensationsbedingungen dünner Schichten im Ultrahochvakuum identisch sind.Die experimentelle Überprüfung der theoretischen Resultate erfolgt auf dem Wege von Strukturuntersuchungen und der Bestimmung der Supraleitfähigkeit von Niobschichten, die durch Elektronenstrahlverdampfung in einer geschlossenen Kammer auf Substraten aus Sitall und Polykor erhalten wurden, wobei der Druck in der Basiskammer in der Größenordnung von 10−4bis 10−5mm Hg lag. Die Strukturuntersuchungen erfolgen mit Methoden der Durchstrahlungselektronenmikroskopie und der Reflexionselektronographie mit Hilfe eines Elektronenmikroskopes hoher Auflösung. Bei der durchgeführten Analyse der erhaltenen Niobschichten konnten keine Fremdstoffe nachgewiesen werden. Bei einer Vergrößerung der Schichtdicke von 0,2 auf 3,5 μm ändert sich die Schichtstruktur von einer amorphen in eine polykristalline bzw. texturierte. Es wird gezeigt, daß die mittels Elektronenstrahlverdampfung im Vakuumsystem vom geschlossenen Typ erhaltenen Schichten sich bezüglich ihrer Supraleitfähigkeit nur geringfügig von im Ultrahochvakuum abgeschiedenen einkristallinen

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111205

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractHgJ2single crystals both pure and doped were grown from an acetone solution using the method of the slow solvent evaporation. The iodides NaJ, KJ, SrJ2, CdJ2, NH4J were used as doping materials in concentrations from 0.01 to 2.0 wt%. The grown crystals were studied with respect to the influence of impurity doping on the electric conductivity and the phase transitions at atmospheric pressure (the DTA method) and high pressure as well (with the help of the high pressure optical cell).

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111206

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractAusgehend von dem aus der Literatur bekannten Vorstellungen wird eine Beziehung zwischen Temperaturfeld, Spannungen im Kristall und Versetzungsdichte hergeleitet. Bei diesen Überlegungen ist der von ALEXANDERund HAASENbeschriebene Mechanismus, nach dem die effektive Schubspannung πeff= π —A√Nfür die Versetzungsbildung entscheidend ist, vorausgesetzt. Am Beispiel eines zylindrischen Siliziumeinkristalls, der einem parabolischen Temperaturfeld ausgesetzt war, wurde der theoretische Befund mit experimentellen Ergebnissen verglichen. Durch die Kenntnis der Beziehung zwischen Spannungsfeld und Temperaturfeld ist auch die Beziehung zwischen Versetzungsverteilung und Temperaturfeld

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111207

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractGegenwärtig werden zahlreiche Arbeiten zum Einfluß von Fremdstoffen auf die Gitterparameter eines Kristalls durchgeführt. Aus solchen Untersuchungen ermittelte man bei Siliziumeinkristallen für bestimmte Dotier‐ und Fremdstoffe Funktionen der Art\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C.\,\frac{{\Delta a}}{a} $\end{document}ist eine Größe, aus der Spannungen im Kristall ermittelt werden können. Nimmt man an, daß1ein Fremdstoff einen Einfluß gemäß Δa/a\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C\, $\end{document}hat,2bei den gebräuchlichsten Züchtungsverfahren für zylindrische Siliziumeinkristalle der Fremdstoff so verteilt ist, daß im Mittel seine Konzentration am Kristallrand kleiner ist als im Zentrum des Kristalls,3die im Kristall festgestellte Versetzungsdichte und ‐verteilung dem des stationären Zustandes\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{dN}}{{dt}} $\end{document}= 0 entspricht,dann ist der Einfluß von\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document}auf die Spannungen im Kristall und demzufolge auf die Versetzungsdichte und ‐verteilung vernachlässigbar. Dieses Ergebnis entspricht nicht dem experimentellen Befund. In der Arbeit wird dargestellt, daß bei Anwesenheit von Fremdstoffen im Kristall Spannungen auftreten, die in der Größenordnung der Temperatur‐spannungen liegen und die nicht durch die aus der Literatur bekannten Werte\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{docum

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111208

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractGranateinkristalle der seltenen Erden sind für die Entwicklung von „Bubble”︁‐Speichern von Interesse. Während der verschiedenen Präparationsstufen der Substrate und epitaxialen Schichten sind Kontrollen der Oberflächengüte notwendig. Es werden röntgentopographische Methoden zur Untersuchung der Oberflächen mit Ergebnissen der Ätztechnik verglichen.Beobachtete Loop‐Konfigurationen in der Umgebung von Einschlüssen werden beschrieben und Entstehungsmech

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111209

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractDas Verfahren besteht darin, daß die zu untersuchende Substanz (z. B. eine intermetallische Verbindung) mit Säure aufgeschlossen und anschließend mit Wasser so weit verdünnt wird, daß die Schwächung bei gut meßbarer Dicke der durchstrahlten Lösung in einem gut meßbaren Rahmen bleibt. Durch Herstellen einer Vergleichslösung ohne die Meßsubstanz, aber mit der gleichen Säuredichte, kann die Schwächung der Säure und des Wassers eliminiert werden. Analog ist das Verfahren bei wasserlöslichen Salzen. Aus dem hiernach erhaltenen (μ/ϱ)‐Wert kann mit der pyknometrisch bestimmten Dichte μ0des kompakten Materials der Schwächungskoeffizient μ0des kompakten Materials berechnet werden. Die praktische Meßanordnung mit einer Planküvette und das Auswerteverfahren werden beschrieben. Es wurden (μ/ϱ)‐Werte der intermetallischen Verbindung CaCu5und von H2O auf diese Weise mit Maximalfehlern

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19760111210

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1976

数据来源: WILEY