摘要:

AbstractAn apparatus based on turbidimetry was constructed for studying the kinetics of crystallization of sparingly soluble salts. The kinetics of crystallization of zinc oxalate was investigated at various supersaturations andpHs of the medium. The specific surface energy at the crystal‐solution interface was determined from the induction periods of the S‐shaped curves by means of the classical theory of nucleation. The calculations were made using the slope of the logarithmic dependence ofIor τ, respectively, on supersaturation (equations 1 and 2) and the critical supersaturation which was also determined on the basis of kinetic data. Various values of σ were found for the different supersaturations. Different values for this quantity were also obtained when supersaturation was presented by the concentration ratio (S=C/C0) or by the ratio of the product of the two ions concentrations in the supersaturated solution to that in the saturated one (S=ab/Lp). These σ values were lower than those obtained using the critical supersaturations at the two different solutionpHs. For the present it is impossible to give a definite explanation of the results obtained. The experiments for determining the specific surface energy at the crystal‐solution interface will be c

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120802

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractThe crystallization kinetics of zinc oxalate at different supersaturations was studied by a turbidimetry method. It was found that the curves optically registered by this method can be quantitatively characterized at intial supersaturations lower than 4.51. The graphically differentiated curves showed that the maximum crystallization rate could be fitted by equationVmax≅K(C–C0)2, WhereCandC0are the initial and the equilibrium concentrations, respectively. The crystallization rates after the maximum follow the same equation depending on the absolute supersaturation at a given moment. A linear dependence between the rate constants and the supersaturations at the maximum crystallization rates is found. This dependence is determined by the inversely proportional correlation of the distances between the steps of growth with the supersaturation given by equation of the distances between the steps of growth with the supersaturation given by equation (8). The activation growth energyE* = 7.1 kcal/mole is determined from the straight line obtai

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120803

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractExperiments have been made with PbCrO4precipitating system in a batch type tank. In the experiments the speeds of stirring and the residence times were changed. The particle size distribution of precipitates formed has been determined. The rate determining mechanism of the crystal growth were evaluated by two different methods (NIELSENmethod and method elaborated in our institute). The two methods used have indicated the same informations about the rate determining processes. It also has been stated that the coagulation does not disturb the selection of the suitable growing mechanism.

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120804

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractStanden im ersten Teil, (I), gitterdynamische Faktoren im Vordergrund, die für die Einleitung des β1/α‐Umwandlungsprozesses von Bedeutung sind, und behandelte der vorangehende zweite Teil, (II), die isotherme Phasenumwandlung von β1‐Cu/Zn‐Mischkristallen, so befaßt sich der vorliegende dritte Teil, (III), mit einer gitterkinetischen Vertiefung der sich ausschließlich auf Röntgenbeugungsexperimente gründenden Meßergebnisse (insbesondere der Umwandlungsisothermen von 360°C). Unter Beibehaltung der bisherigen Aufteilung des Umwandlungsprozesses in die drei Hauptperioden (A) VORDIFFUSION, (B) UMKLAPPUNG, (C) NACHDIFFUSION ergibt sich folgendes: (A) Die in der Vordiffusionsperiode rasch ablaufende Heterogenisierung der Ausgangsmatrix (Zeitbereich I), β −1⟹ β +1+ β1+, erfolgt mit einer AktivierungsenergieQI⋍ 0,75 eV, die sich als Aktivierungsenergie (Qw) für die Wanderung von beim Abschrecken eingefrenen Leerstellen deuten läßt: „Primärleerstellen”︁, die schon nach etwa 2 sec in Senken verschwinden.(B) Erste in Zn‐armen β −1‐Bereichen stattfindende Umklappakte (β −1⟹ β′1⟹ β2) werden dynamischerseits durch langwellige thermoakustische Scherungsschwingungen — „soft modes”︁ vom Typ ({110}, 〈110〉) mit einer Wellenlänge von etwa 86 Å — und anschließende Versetzungsdissoziationen in der Momentanstruktur β′1hervorgerufen. Die in dieser Umwandlungsphase (Zeitbereich II) aus dem αβ1‐Anstieg isolierte Aktivierungsenergie istQII= 0,8 eV>QI; die EnergiedifferenzQII—QI⋍ 5 · 10−2eV kann daher als Schwellenenergie für die Übergänge β1−⟹ β′1⟹ β2aufgefaßt werden. — Da das mittlere Atomvolumen der diffusionslos verlaufenden) Umklapp‐Periode kleiner ist als das von β1−, werden währen derselben „Sekundärleerstellen”︁ gebildet, durch die die anschließenden Diffusionsprozesse (anfänglich) beschleunigt werden. In dieser Zeit, kurz nach erster α‐Bildung und Wachstumsbeginn ihrer Kriställchen, liegt die Aktivierungsenergie (Zeitbereich III) beiQIII= 1,0 eV. Die α‐Kristalle bilden sich mit 12‐facher kristallographisch streng definierter Orientierung bezüglich der β1‐Matrix.(C) In der mit Verschwinden der β2‐Übergangsphase beginnenden und vom Wachstum der ursprünglichen (kohärenten) α‐Kriställchen gekennzeichneten Nachdiffusionsperiode gibt es nur noch diffusionsmäßige direkte Übergänge von (Zn‐reichen) β +1‐ und restlichen (Zn‐armen, aber nicht mehr umklappenden) β −1‐Bereichen: β +1⟹ α und β −1⟹ α. Das Wachstum der α‐Kriställchen erfolgt mit einer Aktivierungsenergie (Zeitbereich IV)QIV= 1,45 eV, die sich, da bis dahin die Sekundärleerstellen sämtlich ausgeheilt sind und das mittlere Atomvolumen des reagierenden Verbandes ansteigt, additiv aus den Aktivierungsenergien für die Bildung und Wanderung einer Leerstelle,QIV=QB+QW, zusammensetzt (QB= 0,7 eV).Bedingt durch die Zunahme des mittleren Atomvolumens nach längeren Auslagerungszeiten und nach Ausweis von Röntgenogrammen tritt gegen Ende der isothermen Reaktion eine Selbstverformung des bis dahin (zumindest teilweise) kohärenten β1/α‐Verbandes ein. Diese nur in den α‐Kriställchen Stattfindende Deformation kündigt sich schon viel früher durch schwache Satellitenreflexe mancher α‐Kristall‐Interferenzen an (s. hierzu Teil (II)).Texturhaft‐diffuse Ausfließungen mancher α‐Reflexe zeigen überdies an, daß die gittermäßige β/β2α‐Kohärenz in Feinbereichen teilweise aufgehoben zu werden scheint. Hierfür gibt es mehrere Ursachen: (1) Im Augenblick der Umklappung sind dic von ihr erfaßten Gitterbereiche superplastisch, so daß die streng kristallographischen β1/α‐Orientierungsbeziehungen verloren gehen (können). (2) Möglicherweise ist hier aber auc

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120805

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractRutilhaltige Keramik ist für die Herstellung von Miniaturfolienkondensatoren von großer Bedeutung. Die chemisch‐reduktive Abscheidung geeigneter Metallschichten — z.B. Nickel — ist als Aufbringverfahren der Kontaktschichten für die Kondensatoren geeignet. Die Oberflächen der Keramiken haben auf die Abscheidung der Metallschichten einen großen Einfluß, besonders auf die Haftfestigkeit der Schichten. Die Ausgangsoberflächen verschiedener Keramikmassen und die Oberflächen mit unterschiedlichen keramischen Formgebungsverfahren hergestellter Keramikplatten werden vorgestellt und ihr Einfluß auf die Haftfestigkeit dargelegt. Durch gezielte Ätzverfahren kann die Struktur der Oberfläche verändert und die Haftfestigkeit der Metallschichten verbessert werden. Der Haftmechanismu

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120806

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractThe study of the mechanisms of plastic deformation of CsI crystals has found the participation of not only the main {110} 〈100〉 slip system but also of the secondary one {110} 〈110〉. Besides that, production and motion of point defects (or small prismatic loops) take place. The gliding on secondary slip system and the deformation accounted for by the generation and motion of point defects is facilitated at low temperatures and high deformation rates. The character of the motion and multiplication of dislocations in the main slip system is investigated. From the temperature and stress dependence of the mobility of isolated dislocations quantitative data on the thermally activated motion of edge dislocations on the main slip system have been obtained. It is shown that, as in the case of other alkali halides, the thermally activated motion of edge dislocations in CsI crystals on {110} 〈100〉 system is limited by their interaction with loca

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120807

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

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AbstractDie Energielücke von Pb1–xSnxTe Muß definiert eingestellt werden, wenn das Material für Ultrarotlaser und ‐strahlungsempfänger eingesetzt werden soll. In unbehandelten Bridgmankristallen kann die Energielücke nur mittels indirekter Methoden (Gitterkonstanten‐ und Dichtemessung) ermittelt werden. Die Ergebnisse dieser indirektenEg‐Bestimmung werden mit den Ergebnissen direkter Methoden (Wellenlängenabhängigkeit des PEM‐Effektes, Eigenabsorptionsk

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120808

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractAusgehend von quantenzählstatistischen Überlegungen wurden Beziehungen abgeleitet, die es gestatten, den Fehler einer Integralintensitätsbestimmung von schwachen Interferenzen und die minimal nachweisbaren Volumenanteile von Minoritätsphasen als Funktion der Meßbedingungen und der vorgegebenen Fehlergrenze abzuschätzen sowie die Wahl der Strahlungs‐ und Monochromatisierungsbedingungen für die röntgenographische Analyse von Minoritätsphasen zu

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120809

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractUm die Wechselwirkungsparameter der Atome in der festen Phase von Halbleiter‐Mischphasen der Systeme GeSi, GaAsGaP und GaAsAlAs zu bestimmen, wurde die diffuse Streuung von Röntgenstrahlen an Einkristallen mit Hilfe der Theorie von KRIVOGLAZanalysiert. Die Ergebnisse gestatten es, die Zustandsdiagramme der betrachteten Systeme zu b

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120810

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractIm Temperaturgebiet 100 K — 1000 K wurden an Einkristallen des Ge und halbleitender Verbindungen des Typs AIIIBV, AIIBVIund AIVBVIröntgenographische Messungen des Debye‐Waller‐Faktors durchgeführt. Aus den Ergebnissen wurden die mittleren quadratischen Atomverschiebungen 〈u2〉 und die Debye‐Temperatur ΘMberechnet. Beide Parameter werden im Hinblick auf den Einfluß der Temperatur, den Einfluß von Punktdefekten und bei den Verbindungen auch von Stöchiometrieabweichungen auf die thermischen Gitterschwingungen diskutiert. Abschließend werden einige Betrachtungen zum Zusammenhang zwischen den Größen 〈u2〉 bzw. ΘMund den Aktivierungsenergien der Leerstellenbildung und der Diffusion in den untersucht

ISSN:0023-4753    

DOI:10.1002/crat.19770120811

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1977

数据来源: WILEY