1. |
Über die Bildung orientierter Verwachsungen unter den Bedingungen der chemischen Transportreaktionen (II) |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 185-191
Joachim Noack,
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摘要:
AbstractMit Hilfe der kinetischen und phänomenologischen Theorie werden unter Berücksichtigung der zu erwartenden Übersättigungs‐ und Adsorptionsverhältnisse Aussagen über die Keimbildungsvorgänge bei der Entstehung orientierter Abscheidungen von Hämatit auf verschiedenen oxidischen Trägern erhalten.Aus dem Vergleich der kristallographischen und chemischen Eigenschaften der verwendeten Träger und der Orientierungseffekte wird die Notwendigkeit der Reaktion zwischen Transportgas und Trägerkristall für die Bildung orientierter Verwachsung
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010202
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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2. |
Der Einfluß der Orientierung der Substrate auf die Wachstumsgeschwindigkeit und die Morphologie autoepitaktischer Galliumarsenid‐Schichten |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 193-203
N. N. Šeftal',
Ch. A. Magomedov,
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摘要:
AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden Daten über den Einfluß der kristallographischen Orientierung des Substrates auf die Wachstumsgeschwindigkeiten und die morphologische Vollkommenheit autoepitaktischer Galliumarsenidschichten mitgeteilt. Die Schichten wurden in einem offenen Wasserstoff‐Jod‐Prozeß bei verschiedenen Kristallisationstemperaturen und verschiedenen Jodkonzentrationen gezüchtet. Die gezüchteten Substratkristalle hatten die Orientierungen A (111), B (111) bzw. (110) und (100) (die Genauigkeit der Orientierung betrug 20′); außerdem wurden Substrate verwendet, deren Orientierung um 2°20′ bzw. 4°40′ von (111) abwich.Es wurde festgestellt, daß die Wachstumsgeschwindigkeiten der GaAs‐Schichten in der Reihenfolgev110>v111>v100abnehmen. Einen entscheidenden Einfluß auf die Morphologie der wachsenden Schichten hat die Stöchiometrie der Oberfläche. Die Wachstumsgeschwindigkeiten auf der A (111)‐Oberfläche nehmen mit zunehmender Fehlorientierung zu und übertreffen die Wachstumsgeschwindigkeiten auf (110) bei einer Orientierungsabweichung von 2°20′. Vicinalen bilden sich auf präzise orientierten A (111)‐Unterlagen bei geringen molaren Jodkonzentrationen (2 · 10−3). Bei Fehlorientierungen von 2°20′ entstehen nur dann Vicinalen, wenn die Jodkonzentration 7 · 10−3übersteigt.Auf den (110)‐Flächen werden nur Wachstumsgruben beobachtet. Auf der Fläche (100), auf der keine Wachstumsgruben entstehen, bilden sich immer Vicinalen. Das Auftreten der Vicinalen hän
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010203
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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3. |
Die Züchtung epitaktischer Galliumphosphidschichten vom p‐Typ und ihre elektrischen Eigenschaften |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 205-211
Ž. I. Alferov,
V. I. Korol'kov,
M. K. Trukan,
S. P. Čaščin,
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摘要:
AbstractDurch Gastransportreaktion im geschlossenen System wurden epitaktische Galliumphosphidschichten vom p‐Typ auf einkristallinen Galliumarsenidträgern gezüchtet. Die Galliumphosphidschichten wurden mit Cadmium im Konzentrationsbereich 1017–1019pro cm3dotiert. Für diese verschieden dotierten Proben wurden elektrische Leitfähigkeit, Konzentration und Beweglichkeit der Ladungsträger im Temperaturintervall von 77–300
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010204
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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4. |
Über die Elektrokristallisation des Wismuts |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 213-218
N. Stojčev,
St. Budurov,
G. Kirov,
I. Jurukova,
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摘要:
AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden die Anfangsformen des Wachstums halbkugelförmiger Wismut‐Einkristalle bei Elektrokristallisation aus Bi(NO3)3‐Lösungen studiert. Die Versuche wurden bei 20 °C und Stromdichten zwischen 0,05 und 12 mA/cm2durchgeführt. Die experimentell erhaltenen Anfangsformen des Wachstums stimmen gut mit der Gleichgewichtsform der Wismutkristalle überein, die von den Autoren nach der Methode von Stranski und Kaischew bestim
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010205
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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5. |
Crystallization of Fluor‐Phlogopite from its Melt |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 219-230
T. Noda,
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摘要:
AbstractExperimental details on crystallization of fluor‐phlogopite from its melt in platinum crucible are given. Successful growth of clear „mica booklets”︁ was achieved with the moving crucible technique using seed crystals of mica.The effect of heat treatment of the melt on the nucleation is studied. Excessive heat treatment resulted in a large undercooling which in turn caused a sudden formation of a large number of nuclei. Some optical data (2 V) and structural details (etch pits) are r
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010206
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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6. |
Die Synthese faseriger Silikate unter thermischen Bedingungen |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 231-236
A. D. Fedoseev,
L. F. Grigor'eva,
O. G. Čigareva,
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摘要:
AbstractFluoramphibole der Richterit‐, Tremolit‐ und Arfvedsonitreihe sowie vom Holmquistit‐Typ wurden durch Kristallisation aus Schmelzlösungen synthetisiert. Der Einfluß der Zusammensetzung des Ausgangsmaterials, des Fluorgehaltes der Beschickung, der Erhitzungsdauer und der Abkühlungsgeschwindigkeit auf den Phasenbestand der Syntheseprodukte und auf Ausbildung und Habitus der entstehenden Amphibolkristalle wurde untersucht. Die optimalen Bedingungen für die Herstellung langfaseriger Amphibolkristalle werden mitgeteilt. Aus den Versuchsergebnissen werden Schlußfolgerungen auf den Mechanismus der Kristallisation der Fluoramphibo
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010207
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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7. |
Ein Beitrag zum Wachstum von Zirkoniumdioxid‐Einkristallen aus Schmelzlösungen |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 237-248
W. Kleber,
L. Ickert,
J. Doerschel,
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摘要:
AbstractEs wird eine Apparatur für die Kristallzüchtung aus Schmelzlösungen nach dem Abkühlungsverfahren beschrieben. Automatisierung, geringe Abkühlungsgeschwindigkeiten und ein SiC‐Ofen für hohe Temperaturen zeichnen die Anlage aus und gestatten gute Reproduzierbarkeit, exakte Einstellung der Versuchsbedingungen und die Anwendung zur Züchtung von Sonderkristallen, speziell von höchstschmelzenden Oxiden.Das Wachstum von ZrO2‐Einkristallen aus Boraxschmelzlösungen und aus Schmelzlösungen von Li2MoO4· x MoO3(x=1 bzw. 2) wurde in Abhängigkeit vom Lösungsmittel und von der Temperatur untersucht.Eingehend wurde die Morphologie (Tracht und Habitus) der Baddeleyit‐Kristalle studiert, wobei sich bemerkenswerte Einflüsse der Temperatur (Abkühlungsintervall) zeigen. Auch strukturelle Kennzeichen werden in die Betrachtung einbezogen. Die Wachstums‐Prozesse der synthetischen Einkristalle werden vor allem vom Effekt der Transformation tetragonal‐monoklin und vom Mechanismus des „einspringende
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010208
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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8. |
Über die Synthese von Zinkit‐Einkristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 249-259
Will Kleber,
Reinhard Mlodoch,
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摘要:
AbstractZur Klärung struktureller und wachstumskinetischer Fragen wurden Kristallisationsversuche an Zinkit mit verschiedenen Methoden durchgeführt. Nach den bereits früher angewendeten Verfahren der Reaktion von ZnF2mit Luftsauerstoff und der Kristallisation aus Schmelzlösungen des Systems ZnO‐PbF2, ferner durch Sublimation und mit Hilfe chemischer Transportreaktionen wurden ZnO‐Einkristalle gezüchtet. Als Wachstumsformen konnten die für den Wurtzittypus charakteristischen Gleichgewichtsformen { 0001 }, { 1010 }, { 1011 } und die entsprechenden polaren Gegenformen bestätigt werden.Während diese Kombination bei den verschiedenen physikalisch‐chemischen Wachstumsbedingungen im wesentlichen stabil bleibt, variiert der Habitus in recht weiten Grenzen. Es finden sich Whisker (Sublimation), lineare (chem. Transport, Reaktion von ZnF2) und planare Habitustypen (Schmelzlösung). Das morphologische Verhalten des Zinkits wird auf Grund der Wachstumsmechanismen, die bei Kristallarten des Wurtzittyps zu erwarten und zu beobachten sind, ohne weiteres verständlich.Röntgenographische Untersuchungen zeigen, daß alle gezüchteten ZnO‐Kristalle unabhängig von den verschiedenen Wachstumsbedingungen und unabhängig von der unterschiedlichen morphologischen Ausbildung ausschließlich die 2H‐Struktur (Wurtzittypus) besitzen. Polytype Strukturen und auch die kubische Modifikation waren nicht nachzuweisen. Beide Erscheinungen können auf Grund des ausgeprägten elektrovalenten Bindungsantei
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010209
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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9. |
Gewinnung von lumineszierendem Zinksulfid durch Kristallisation aus Salzschmelzen |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 261-265
J. Malur,
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摘要:
AbstractZinksulfidkristalle wurden aus Bariumthiozinkatschmelzen erhalten. Es werden Einzelheiten über das Schmelzdiagramm sowie über die Lumineszenzeigenschaften dotierter Kristalle mitgeteil
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010210
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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10. |
Über die Polymorphie unterschiedlich präparierter Cadmiumsulfide |
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Kristall und Technik,
Volume 1,
Issue 2,
1966,
Page 267-280
H. Hartmann,
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摘要:
AbstractDurch Fällungskristallisation wurde Cadmiumsulfid mit unterschiedlicher Struktur in Abhängigkeit von der Art des vorgelegten Cadmiumsalzes und als Folge des pH‐Wertes der Ausgangslösungen erhalten. Insbesondere gelang die Präparation fehlgeordneter Proben. Die thermische Nachbehandlung von kubischem CdS ergab eine Beeinflussung der polymorphen Strukturumwandlung durch die verwendete Gasatmosphäre. Dabei wurde im Vergleich zu Luftglühungen das zwischen etwa 300 und 500 °C liegende Transformationsgebiet in der Reihenfolge Stickstoff, Schwefelwasserstoff, Chlorwasserstoff nach niedrigeren Temperaturen verschoben. Mit längeren Versuchszeiten erhöhte sich allgemein der Umwandlungsgrad. Als Grund für das Wachstum der metastabilen kubischen CdS‐Phase bei Zimmertemperatur wurde eine Modifizierung der Keimbildungsarbeiten durch anionische Verunreinigungen angenommen.Die hydrothermale Synthese von CdS‐Einkristallen und Epitaxieversuche wer
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19660010211
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1966
数据来源: WILEY
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