| 1. |
Epitaxy of GaN by means of a nitrogen stream activated by a high frequency electrical field discharge |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 31-33
G. Głowacki,
R. Łsappa,
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PDF (212KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100415
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 2. |
Zur Bestimmung von Oxidschichtdicken aus ESCA‐Messungen |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 35-37
G. Leonhardt,
H.‐J. Bilz,
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PDF (202KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100416
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 3. |
Electrical properties of epitaxial GaN grown from GaBr3. 4NH3 |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 39-41
H. Neumann,
M. Staudte,
A. Tempel,
J. Żytecki,
R. Łappa,
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PDF (171KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100417
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 4. |
Zur Präzisionsgitterkonstantenbestimmung dünner Schichten |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 43-44
V. Naumann,
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PDF (87KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100418
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 5. |
Oxydation von GaAs‐Einkristallscheiben an Luft |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 45-48
K. Löschke,
G. Kühn,
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PDF (220KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100419
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 6. |
Zur Struktur natürlicher Oxidschichten auf GaAs‐Einkristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 49-53
K. Löschke,
G. Kühn,
H.‐J. Bilz,
G. Leonhardt,
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PDF (223KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100420
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 7. |
C. H. L. Goodman (Herausgeber). Crystal growth, theorie&techniques, vol. 1. Plenum Publishing Corp. London, New York 1974 300 Seiten, zahlreiche Abbildungen, Substanz‐und Sachregister, Preis: US $ 28 |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 55-56
J. Bohm,
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PDF (168KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100421
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 8. |
A. N. Lobachev (Herausgeber). Crystallisation processes under hydrothermal conditions. Consultants Bureau, Plenum Publishing Corp., New York ‐ London 1973; 255 Seiten, zahlreiche Abbildungen und Tabellen |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 56-57
J. Bohm,
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PDF (166KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100422
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 9. |
N. F. Mott. Metal‐insulator transitions. Taylor&Francis Ltd., London 1974 XVI, 278 Seiten, 158 Figuren. Preis geb. $ 6.50 |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 57-58
H. Wich,
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PDF (111KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100423
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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| 10. |
Über das Wachstum von Silberamalgamwhiskern |
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Kristall und Technik,
Volume 10,
Issue 4,
1975,
Page 355-360
Chr. Nanev,
K. Ditschewa,
T. Dontschewa,
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PDF (382KB)
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摘要:
AbstractDas Wachstum von nadelförmigen Einkristallen aus Silberamalgam (s. g. Whisker) wurde untersucht. Sie wurden gezüchtet aus wäßrigen Lösungen auf einer Quecksilberoberfläche durch eine Art von Innenelektrolyse. Die Whisker sind mit Quecksilber gefüllte hexagonale Kapillarröhrchen. Es wurde eine potentiostatische Methode entwickelt, mit deren Hilfe die Übersättigung bzw. die Überspannung, unter welcher die Whisker wuchsen, bestimmt wurde. Dieselbe Methode bietet weiterhin auch eine Möglichkeit zur Steuerung des Whiskerwachstu
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19750100402
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1975
数据来源: WILEY
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