Kristall und Technik


ISSN: 0023-4753        年代:1972
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年代:1972
 
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1. Einige Ergebnisse und weitere Aussichten der Nutzung von Einkristallen für die Informationsspeicherung und ‐verarbeitung
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  855-863

F. Hoff,   B. Stádník,  

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2. Ziehapparate für die Einkristallzüchtung
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  865-881

O. Liška,   J. Žemlička,   Č. Barta,   E. Ryttnauer,  

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3. Zur Tracht‐Habitus‐Modifizierung von Halbleiterkristallen
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  883-889

S. A. Stroitelev,  

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4. Study on the Growth of Triglycinsulphate Single Crystals
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  891-902

F. Moravec,   J. Novotný,  

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5. Über P.B.C.‐Vektorenund ihre Bedeutung für das Kristallwachstum, speziell beim Silicium
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  903-906

M. Schreckenbach,  

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6. Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si‐Einkristallen großer Durchmesser
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  907-922

A. Lebek,   W. Geil,   K. Schmugge,  

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7. The Process of Formation of Epitaxial Cadmium and Zinc Oxide Films by Interaction of Single‐Crystal AIIBVILayers with Oxygen
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  923-934

L. A. Sergeyeva,   I. A. Charlamov,   T. P. Kazannikova,   V. B. Aleskovsky,  

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8. Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP‐Einkristallen aus nichtstöchiometrischen schmelzen
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  935-942

D. Clauss,   R. Ehlers,  

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9. Physikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten NaCl‐ und KCl‐Kristallen
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  943-955

M. Suszyǹska,   M. Lébl,   J. Žemlička,  

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10. Die Domänenstruktur von Gadoliniummolybdat (GMO)
  Kristall und Technik,   Volume  7,   Issue  8,   1972,   Page  957-963

H. D. Kürsten,   J. Bohm,  

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