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1. |
Einige Ergebnisse und weitere Aussichten der Nutzung von Einkristallen für die Informationsspeicherung und ‐verarbeitung |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 855-863
F. Hoff,
B. Stádník,
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PDF (550KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070802
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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2. |
Ziehapparate für die Einkristallzüchtung |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 865-881
O. Liška,
J. Žemlička,
Č. Barta,
E. Ryttnauer,
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PDF (936KB)
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摘要:
AbstractIn dieser Arbeit werden die wichtigsten konstruktionstechnischen Funktionsknotenpunkte beschrieben, die es ermöglichten, durch gegenseitige Kombination und verschiedene Lösungsvarianten, in einer Zusammenarbeit zwischen Technologen und Konstrukteuren, verschiedene Ziehapparate zu entwickeln, die den gestellten technologischen Anforderungen entsprechen.Es handelt sich um labormäßige Einrichtungen, die eine Arbeit unter Schutzatmoshpäre selbst bei größerem Druck ermöglichen. Die Konzeption der Einrichtungen ermöglicht ihren Einsatz nicht nur in industriellem Maßstab, sondern auch in einem beliebigen Druck‐ oder Vakuum‐Ofenraum. Die konstruktive Lösung berücksichtigt einen einfachen und anspruchslosen Aufbau, bei Einhaltung einer maximalen Genauigkeit und Reproduzierbarkeit bei der K
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070803
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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3. |
Zur Tracht‐Habitus‐Modifizierung von Halbleiterkristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 883-889
S. A. Stroitelev,
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PDF (439KB)
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ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070804
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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4. |
Study on the Growth of Triglycinsulphate Single Crystals |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 891-902
F. Moravec,
J. Novotný,
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PDF (676KB)
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摘要:
AbstractCrystallization of TGS at 52.0°C ‐ above the transition point ‐ has been studied in a wide range of supersaturation of the solution (σ = 0 to 10−2). The rates of growth of {110} and {001} faces were measured as a function of supersaturation at constant hydrodynamical conditions (Re = 3.4 · 10−3). Further, the influence of hydrodynamical conditions on the growth of {110} faces at constant supersaturation (σ = 4.2 · 10−3) was established. The parameters of the experimentally found dependences are determined on the basis of the surface‐diffusion model ofBURTON.CABRERAandFRANK. From these dependences follows that the growth rate of the {110} faces is already almost limited by the volume diffusion of TGS molecules towards the crystal surface, while in the case of {001} faces the surface diffusion mechanism of crystallization is clearly manifested. Dislocation densities in the crystals have been determined by means of etching technique. The number of dislocations increases with increasing supersaturation; hence, supersaturation of the solution together with the processes taking place in the regeneration zone surrounding the seed determine the number of dislocations in the crystal volume and thus the resulting structural perfection of single crystals. Investigation of the spontaneous redistribution of domains showed that the growth rate of TGS crystals influences the dielectric properties to much smaller extent than does
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070805
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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5. |
Über P.B.C.‐Vektorenund ihre Bedeutung für das Kristallwachstum, speziell beim Silicium |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 903-906
M. Schreckenbach,
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PDF (273KB)
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摘要:
AbstractEs wird gezeigt, wie man mit der P.B.C.‐Methode für das Kristallwachstum einige allgemeine Gesichtspunkte gewinnen kann. Dabei wird der Begriff „Richtkraft”︁ vorgeschlagen, der verschiedene Kristallsysteme zu vergleichen erlaubt, namentlich hinsichtlich der Aussichten auf Herstellung versetzungsarmer K
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070806
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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6. |
Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si‐Einkristallen großer Durchmesser |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 907-922
A. Lebek,
W. Geil,
K. Schmugge,
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PDF (711KB)
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摘要:
AbstractDie vorliegende Arbeit legt Ergebnisse dar, die bei der Züchtung von Si‐Einkristallen mit einem Durchmesser bis 43 mm nach der Methode des tiegelfreien Zonenziehens unter Anwendung eines axialen Gleichstromes erzielt werden konnten. Der Einfluß der Jouleschen Wärme und des Peltiereffektes auf die strukturellen Eigenschaften des Kristalls sowie deren Bedeutung bei seiner Züchtung wird analysiert. Aus dieser Analyse resultieren Untersuchungen zum Einfluß der Jouleschen Wärme auf die Versetzungsbildung. Auf der Basis einer vorausgesetzten Wechselwirkung von Kristallgeometrie, ‐temperatur und dem radialen Temperaturgradienten werden Betrachtungen zur Bestimmung einer Funktionn=f(grad.T, T, r) durchgeführt. Für ausgewählte Fälle ist eine Lösung bestimmbar, die auf die Bedeutung des Temperaturgradienten hinweist. Die Beachtung dieses Resultates bei der Kristallzüchtung wird mit einem Beispiel belegt.Results are reported on zone floated silicon single crystals with diameters up to 43 mm by using an axial direct current. The influence of the Joule ‐ heat and the Peltier ‐ effect on the structural proporties of the crystals and their importance for the growing process is analysed. From this analysis researches on the influence of the Joule – heat on the origin of dislocations resulted. On the basis of a supposed interaction between crystal, ‐geometry, temperature and radial temperature gradient the functionn=f(grad.T, T, r) ist discussed. For special cases a solution is definable which shows the importance of the temperatur gradient. For illustrating the resu
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070807
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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7. |
The Process of Formation of Epitaxial Cadmium and Zinc Oxide Films by Interaction of Single‐Crystal AIIBVILayers with Oxygen |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 923-934
L. A. Sergeyeva,
I. A. Charlamov,
T. P. Kazannikova,
V. B. Aleskovsky,
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PDF (794KB)
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摘要:
AbstractThe results of electron microscopic and electron diffraction investigation of the surface during annealing of single‐crystal AIIBVI(CdS, CdSe, ZnSe, ZnS) films in the presence of oxygen are reported.It is shown that the behaviour of islands of cadmium oxide formed by chemical interaction between O2and the CdS, CdSe substrate in the process of growth resembles that of the nuclei in film condensation. CdO films become “continuous” more quickly, if the size of blocks of substrate‐epitaxial AIIBVIfilm is larger. Epitaxial ZnO films formed on the surface of epitaxial ZnS and ZnSe layers are of a wurtzite structure or a cubic structure with the parametera
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070808
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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8. |
Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP‐Einkristallen aus nichtstöchiometrischen schmelzen |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 935-942
D. Clauss,
R. Ehlers,
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PDF (374KB)
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摘要:
AbstractIn Anschluß an eine einführende Betrachtung wird eine Bestimmungsgleichung für den effektiven Verteilungskoeffizientenkeffunter den Bedingungen der Einkristallzüchtung aus nichtstöchiometrischen Schmelzen vorgeschlagen. Diese Gleichung kommt bei der Ermittlung vonkeffdes Te für Te‐Konzentrationen in der Schmelze von 3,5 bis 91 · 10−3At% zur Anwendung. Der aus einer Vielzahl von Messungen erhaltenekeff‐Wert beträgt 0,070 mit den 1 σ‐Grenzen 0,116 und 0,043. Die relativ große Streubreite wird mit dem verfahrensbedingten sowie auf die polaren Eigenschaften des GaP‐Kristallgitters zurückgehenden inhomogenen Dota
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070809
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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9. |
Physikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten NaCl‐ und KCl‐Kristallen |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 943-955
M. Suszyǹska,
M. Lébl,
J. Žemlička,
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PDF (668KB)
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摘要:
AbstractEs werden die physikalischen Eigenschaften von NaCl‐ und KCl‐Einkristallen, welche aus vorher mit Phosgen behandelten Ausgangsmaterialien gezüchtet wurden, beschrieben. Die Absorptionsmessungen im UV‐ und IR‐Gebiet sowie auch die Mikrohärte und CRSS, Versetzungsdichte, Ionenleitfähigkeit und das Studium der Farbzentrenkinetik zeigen, daß die mit der beschriebenen modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten Kristalle nicht nur keine OH−Ionen, sondern auch keine anderen sauerstoffhaltigen Fremda
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070810
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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10. |
Die Domänenstruktur von Gadoliniummolybdat (GMO) |
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Kristall und Technik,
Volume 7,
Issue 8,
1972,
Page 957-963
H. D. Kürsten,
J. Bohm,
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PDF (454KB)
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摘要:
AbstractDie Untersuchung plättchenförmiger Proben von GMO im polarisierten Licht zeigt ferroelektrische Domänen. Die Domänen sind in zwei Systemen von Streifenmustern, mit den Domänenwänden parallel zu {110}‐Flächen, angeordnet. Senkrecht zueinander stehende Domänen durchdringen sich nicht, sondern laufen keilförmig zusammen, bevor sie sich treffen. Die Neubildung der Domänen wurde bei der Curietemperatur im Heiztisch untersucht. Einige besondere Reaktionen von Domänengrenzen wurden bei 100
ISSN:0023-4753
DOI:10.1002/crat.19720070811
出版商:WILEY‐VCH Verlag
年代:1972
数据来源: WILEY
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