Journal of Applied Physics


ISSN: 0021-8979        年代:1996
当前卷期:Volume 79  issue 6     [ 查看所有卷期 ]

年代:1996
 
     Volume 79  issue 1   
     Volume 79  issue 2   
     Volume 79  issue 3   
     Volume 79  issue 4   
     Volume 79  issue 5   
     Volume 79  issue 6
     Volume 79  issue 7   
     Volume 79  issue 8   
     Volume 79  issue 9   
     Volume 79  issue 10   
     Volume 79  issue 11   
     Volume 79  issue 12   
     Volume 80  issue 1   
     Volume 80  issue 2   
     Volume 80  issue 3   
     Volume 80  issue 4   
     Volume 80  issue 5   
     Volume 80  issue 6   
     Volume 80  issue 7   
     Volume 80  issue 8   
     Volume 80  issue 9   
     Volume 80  issue 10   
     Volume 80  issue 11   
     Volume 80  issue 12   
41. Determination of the relative densities of high‐voltage stressed‐generated traps near the anode and cathode in 10‐nm‐thick silicon oxides
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3089-3093

T. W. Hughes,   D. J. Dumin,  

Preview   |   PDF (82KB)

42. Au‐mediated low‐temperature solid phase epitaxial growth of a SixGe1−xalloy on Si(001)
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3094-3102

G. Ramanath,   H. Z. Xiao,   S. L. Lai,   L. H. Allen,   T. L. Alford,  

Preview   |   PDF (594KB)

43. Optical absorption ofp‐type GexSi1−xquantum wells
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3103-3107

Y. Fu,   M. Willander,   Wenlan Xu,  

Preview   |   PDF (168KB)

44. Band offsets and electronic structure of SiC/SiO2interfaces
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3108-3114

V. V. Afanas’ev,   M. Bassler,   G. Pensl,   M. J. Schulz,   E. Stein von Kamienski,  

Preview   |   PDF (164KB)

45. Determination of recombinative lifetime and surface recombination velocities from wavelength dependence of photocurrent in insulator‐semiconductor structures
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3115-3121

Shahriar Mostarshed,   Robert B. Darling,  

Preview   |   PDF (150KB)

46. Synchrotron x‐ray scattering measurements of bulk structural properties in superconducting(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10–Agtapes
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3122-3132

T. R. Thurston,   U. Wildgruber,   N. Jisrawi,   P. Haldar,   M. Suenaga,   Y. L. Wang,  

Preview   |   PDF (211KB)

47. Time dependence of ac losses in multifilamentary NbTi superconductors due to proximity coupling
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3133-3140

Curt Schmidt,  

Preview   |   PDF (154KB)

48. Microstructure and magnetoelastic coupling coefficients in thin NiFe and Ni films
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3141-3144

O. S. Song,   C. K. Kim,   R. C. O’Handley,  

Preview   |   PDF (690KB)

49. A magnetic, neutron diffraction, and Mo¨ssbauer spectral study of the Ce2Fe17−xAlxsolid solutions
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3145-3155

S. R. Mishra,   Gary J. Long,   O. A. Pringle,   D. P. Middleton,   Z. Hu,   W. B. Yelon,   F. Grandjean,   K. H. J. Buschow,  

Preview   |   PDF (232KB)

50. Correlation of magnetic Barkhausen noise with core loss in oriented 3% Si–Fe steel laminates
  Journal of Applied Physics,   Volume  79,   Issue  6,   1996,   Page  3156-3167

Thomas W. Krause,   J. A. Szpunar,   M. Birsan,   David L. Atherton,  

Preview   |   PDF (219KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第5页 共86条