Journal of Applied Physics


ISSN: 0021-8979        年代:1964
当前卷期:Volume 35  issue 4     [ 查看所有卷期 ]

年代:1964
 
     Volume 35  issue 1   
     Volume 35  issue 2   
     Volume 35  issue 3   
     Volume 35  issue 4
     Volume 35  issue 5   
     Volume 35  issue 6   
     Volume 35  issue 7   
     Volume 35  issue 8   
     Volume 35  issue 9   
     Volume 35  issue 10   
     Volume 35  issue 11   
     Volume 35  issue 12   
51. Role of the Competing Etching Process in Determining the Quality of Pyrolytically Grown Silicon and Germanium Films
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1358-1359

E. G. Bylander,  

Preview

52. Penetration of Water into Plastically Deformed NaCl
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1359-1360

A. T. Kellogg,   R. O. Pohl,  

Preview   |   PDF (269KB)

53. Nondestructive Method for Revealing Stacking Faults in Epitaxial Silicon
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1360-1361

R. H. Dudley,  

Preview   |   PDF (285KB)

54. Superconductivity in the High‐Pressure InSb‐Beta‐Sn System
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1361-1362

Susan D. Nye,   Mario D. Banus,   Harry C. Gatos,  

Preview   |   PDF (264KB)

55. Defect Structures on Polished Quartz Surfaces as Seen by X‐Ray Diffraction Microscopy
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1362-1363

J. B. Newkirk,   J. D. Young,   J. P. Spencer,  

Preview   |   PDF (240KB)

56. Ultrasonic Relaxation Loss in OH‐Free SiO2
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1363-1363

R. E. Strakna,   H. T. Savage,  

Preview   |   PDF (110KB)

57. Erratum: Laue Patterns and Zone Structure in Bi2Te3
  Journal of Applied Physics,   Volume  35,   Issue  4,   1964,   Page  1364-1364

H. H. Soonpaa,  

Preview   |   PDF (21KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第6页 共57条