Journal of Applied Physics


ISSN: 0021-8979        年代:1986
当前卷期:Volume 59  issue 4     [ 查看所有卷期 ]

年代:1986
 
     Volume 59  issue 1   
     Volume 59  issue 2   
     Volume 59  issue 3   
     Volume 59  issue 4
     Volume 59  issue 5   
     Volume 59  issue 6   
     Volume 59  issue 7   
     Volume 59  issue 8   
     Volume 59  issue 9   
     Volume 59  issue 10   
     Volume 59  issue 11   
     Volume 59  issue 12   
     Volume 60  issue 1   
     Volume 60  issue 2   
     Volume 60  issue 3   
     Volume 60  issue 4   
     Volume 60  issue 5   
     Volume 60  issue 6   
     Volume 60  issue 7   
     Volume 60  issue 8   
     Volume 60  issue 9   
     Volume 60  issue 10   
     Volume 60  issue 11   
     Volume 60  issue 12   
61. A new analysis of the linear high‐field magnetoresistance inn‐type PbTe films
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1388-1390

R. S. Allgaier,  

Preview   |   PDF (283KB)

62. Propagation of ion acoustic waves close to a plasma boundary
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1390-1391

L. Schott,  

Preview   |   PDF (155KB)

63. Detection of thermal waves through modulated optical transmittance and modulated optical scattering
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1392-1394

Allan Rosencwaig,   Jon Opsal,   W. L. Smith,   D. L. Willenborg,  

Preview   |   PDF (249KB)

64. Dependence of inductively measured critical temperature on frequency and amplitude of applied field in aninsituNb3Sn superconductor
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1395-1397

M. Fukumoto,   H. Kodaka,   T. Okada,   H. Yoshida,   K. Yasohama,  

Preview   |   PDF (250KB)

65. Low‐temperature heat capacities of Ni3Al
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1397-1398

James C. Ho,   Royce C. Liang,   D. P. Dandekar,  

Preview   |   PDF (161KB)

66. Observation of electroluminescence from excitons bound to isoelectronic impurities in crystalline silicon
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1399-1401

T. G. Brown,   D. G. Hall,  

Preview   |   PDF (258KB)

67. Decay of the running state in underdamped Josephson junctions
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1401-1403

R. Cristiano,   P. Silvestrini,  

Preview   |   PDF (235KB)

68. Erratum: ‘‘Variation of refractive index in strained InxGa1−xAs‐GaAs heterostructures’’ [J. Appl. Phys.58, 341 (1985)]
  Journal of Applied Physics,   Volume  59,   Issue  4,   1986,   Page  1404-1404

Uptal Das,   Pallab K. Bhattacharya,  

Preview   |   PDF (49KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第7页 共68条