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AbstractEs wurden die Verbindungen CdAl2O4, CdAl2S4, HgAl2S4, ZnAl2Se4, CdAl2Se4, HgAl2Se4, ZnAl2Te4, CdAl2Te4, HgAl2Te4, ZnGa2S4, CdGa2S4, HgGa2S4, ZnGa2Se4, CdGa2Se4HgGa2Se4, ZnGa2Te4, CdGa2Te4, HgGa2Te4, ZnIn2Se4, CdIn2Se4, HgIn2Se4, ZnIn2Te4, CdIn2Te4und HgIn2Te4durch Umsetzungen im festen Zustande bei höheren Temperaturen dargestellt und röntgenographisch untersucht.CdAl2O4hat Spinellstruktur mit statistischer Verteilung des Cadmiums und Aluminiums auf beide Metallagen des Spinellgitters.CdAl2S4, HgAl2S4, ZnAl2Se4, CdAl2Se4, HgAl2Se4, CdGa2S4, HgGa2S4, CdGa2Se4, HgGa2Se4, CdGa2Te4, ZnIn2Se4, HgIn2Se4, ZnIn2Te4, CdIn2Te4und HgIn2Te4kristallisieren in einer tetragonalen Struktur der Raumgruppe S 24I4mit zwei Formeleinheiten in der Elementarzelle. Die Struktur leitet sich von der Chalkopyritstruktur ab, indem zwei Metallagen des Chalkopyritgitters unbesetzt bleiben.CdIn2Se4hat eine tetragonale pseudokubische Struktur der Raumgruppe D 12dP42m mit einer Molekel in der Elementarzelle.Bei den Verbindungen ZnGa2S4, ZnGa2Se4und ZnGa2Te4kann zwischen der Struktur der Raumgruppe S24und einer sehr ähnlichen der Raumgruppe D 112dI42m wegen des fast gleichen Streuvermögens des Zinks und Galliums nicht entschieden werden.Für die Verbindungen ZnAl2Te4, CdAl2Te4und HgAl2Te4wird außer den Raumgruppen S24, D 12dund D 112dauch die Raumgruppe D 92dF42 mit statistischer Verteilung beider Metalle auf die Metallagen eines tetragonal verzerrten Zinkblendegitters und für HgGa2Te4Mischkristallbildung zwischen den binären Komponenten mit reiner Zinkblendestruktur diskutiert.Sämtlichen Strukturvorschlägen ist eine nahezu kubisch dichte Packung der Chalkogenatome gemeinsam, in deren Tetraederlücken die Metallatome der jeweiligen Raumgruppe entsprechend verteilt sind. Die bevorzugte Bildung der chalkopyrit‐ bzw. zink‐blendeartigen Strukturen gegenüber der Spinellstruktur wird bei den hier untersuchten Verbindungen mit der großen Neigung der B‐Gruppenelemente zur Ausbildung von Atombindungen mit tetraedrischer Koordination gegenüber den Nichtmetallen erklärt.Es werden einige Regeln über die jeweils bevorzugte Bildung einer der beiden Spinellstrukturen auf Grund der erhaltenen Versuchsergebnisse abgeleitet und an Hand der bisher bekannten

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790502

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1955

数据来源: WILEY

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AbstractFür die Tief‐Temperaturmodifikation des Cu2HgJ4und Ag2HgJ4wurden Strukturen gefunden, die mit den von KETELAARangegebenen nicht übereinstimmen. Beide Verbindungen kristallisieren tetragonal; Cu2HgJ4: a = 6,080kX; c = 12,218kX; c/a = 2,011; Ag2HgJ4: a = 6,304kX; c = 12,608kX; c/a = 2,000. Die Elementarzellen enthalten zwei Formeleinheiten. Die Verbindungen sind nicht isotyp; β‐Cu2HgJ4kristallisiert in einem Gitter der Raumgruppe D 112dI42m, β‐Ag2HgJ4in der Raumgruppe S 24I4. Die beiden Strukturen unterscheiden sich dadurch, daß beim β‐Cu2HgJ4die Metallatome schichtenartig, beim β‐Ag2HgJ4dagegen besser durchmischt die Tetraederlücken des kubischdicht gepackten Jodgitters besetzen. Mischkristalle der Zusammensetzung CuAgHgJ4haben die Struktur des β‐Cu2HgJ4mit statistischer Verteilung des Kupfers und

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790503

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1955

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AbstractBei Versuchen zur Darstellung ternärer Oxyde des Aluminiums, Galliums und Indiums mit einwertigem Kupfer und Silber wurden nur die Verbindungen CuAlO2und CuGaO2durch Umsetzung von Cu2O mit Al(OH)3bzw. Ga2O3bei höheren Temperaturen erhalten. Beide Verbindungen kristallisieren hexagonal‐rhomboedrisch in der Raumgruppe D 53dR3m. Sie sind dem CuFeO2(F 51‐Typ, NaHf2‐Struk

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790504

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1955

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AbstractIm Anschluß an eine Erörterung der bei der Elektrolyse von Fluorverbindungen möglichen Anodenprozesse wird aus einzelnen bereits vorliegenden präparativen und elektrochemischen Befunden eine widerspruchsfreie Deutung der Anodenprozesse bei der Elektrolyse im System H2/FF und der elektrochemischen Bildung von Sauerstoffdifluorid gegeben.Bei der Elektrolyse von Fluorsulfonsäure in Fluorwasserstoff an Nickelanoden wird neben OF2Sulfurylfluorid gebildet; durch eine teilweise quantitative Untersuchung dieses Prozesses wird ein Vergleich mit anderen Darstellungsverfahren ermög

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790505

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1955

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AbstractEs wird ein Verfahren beschrieben, das gestattet, Entmischungen silicatischer Systeme im flüssigen Zustand durch Leitfähigkeitsmessungen zu erfassen. Dieses Verfahren ist an eine geeignete Versuchsmethodik und Meßzelle für die hohen Temperaturen gebunden. Der Entmischungsbeginn läßt sich aus den Temperaturgängen der an zwei übereinander liegenden Elektrodenpaaren gemessenen Widerstände exakt erfassen. Der Entmischungsgrad ist aus der Temperatur‐ und Konzentrationsabhängigkeit des Leitvermögens der Grenzphasen abschätzbar. Die Prüfung des Verfahrens erfolgte an Hand der in den Systemen PbOB2O3und PbOB2O3SiO2auftrete

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790506

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年代:1955

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AbstractAus Bromdampf und Sauerstoff entsteht in der Glimmentladung bei Temperaturen zwischen −10° und +20° ein weißes Bromoxyd der Formel BrO3. Dieses hat dieselben Eigenschaften wie das von B. LEWISund H. J. SCHUMACHERaus Brom und Ozon gewonnene Br3O8.Das „Br3O8”︁ wurde nach den Angaben von Lewis und Schumacher hergestellt und analysiert. Die Analysen ergaben das Verhältnis Br : O = 1 : 3. Es handelt sich also auch bei diesem Oxyd um das Bromt

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790507

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年代:1955

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AbstractEs werden LiBiS2, NaBiS2, KBiS2und RbBi3S5dargestellt. LiBiS2kristallisiert wie NaBiS2und KBiS2im NaCl‐Typ mit a = 5,58 Å; Z = 2; d254= 5,08 g/c

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790508

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年代:1955

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AbstractLiBiS2, NaBiSe2und KBiSe2kristallisieren im NaCl‐Typ mit statistischer Alkali‐ und Wismutverteilung. Die Gitterkonstanten sind: LiBiS2: a = 5,603Å, NaBiSe2: a = 5,852Å, KBiSe2: a = 5

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790509

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年代:1955

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AbstractEntfaserte Jutestengel wurden mit Erfolg zur Trennung einer Anzahl von Kationen angewandt. Mit diesen besonders vorbehandelten Pflanzenstengeln wurden getrennt: Hg+Pb++; Hg++Pb++; Hg++Cu++; Cu++Cd++; As+++Sb+++Sn++;

ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790510

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年代:1955

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ISSN:0044-2313    

DOI:10.1002/zaac.19552790501

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1955

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