Journal of Applied Crystallography


ISSN: 1600-5767        年代:1969
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年代:1969
 
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1. Revised X‐ray diffraction line intensities for silicon carbide polytypes
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  45-48

A. L. Hannam,   P. T. B. Shaffer,  

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2. Quantitative Zuordnung von röntgenographisch und mittels chemischer Ätzgruben erfassten Versetzungen bei einer Siliziumprobe
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  48-52

M. Renninger,   W. Theis,  

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3. Refraction X par les trichites de cuivre
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  52-55

H. J. Latiere,  

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4. Un nouvel aspect du calcul des distributions de tailles de particules en diffusion centrale des rayons X
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  55-64

H. Brusset,   J. R. Donati,  

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5. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  65-71

H. M. Rietveld,  

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6. An X‐ray method for the determination of domain size from the tails of diffraction profiles
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  72-76

I. S. Szántó,   L. Varga,  

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7. Automatic pole figure evaluation
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  76-80

A. Segmüller,   J. Angilello,  

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8. A small set of reference crystals for double‐crystal topography
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  81-81

R. D. Deslattes,   B. Paretzkin,  

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9. X‐ray study of the effect of palladium on stacking fault densities of Ag‐base alloys
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  82-84

M. De,  

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10. Some comments on the methodology of line‐broadening analyses
  Journal of Applied Crystallography,   Volume  2,   Issue  2,   1969,   Page  84-85

R. L. Rothman,   J. B. Cohen,  

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