ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031022

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031023

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031002

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

Abstract[Russian Text Ignored].

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031003

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractThe relative spectral distribution of the fluorescence of both untreated and radiationcoloured LiF crystals have been investigated at monochromatic excitation in the range from 253 to 635 nm. Fluorescence has been shown to be slightly influenced by the growing procedure of the crystals (air or vacuum‐grown) and the type of coloration (x‐rays or deuterons), but it was not until longer exciting wavelengths were used that this influence became more distinct.Fluorescences with peaks at 530 nm and 670 nm emitted at R1, R2or M band excitation could be verified. In addition, at F band excitation an emission was observed likewise at 530 and 670 nm, which could also be stimulated, individually or commonly, by light of the R1, R2or M bands. This may be interpreted in terms of an energy transfer process from the absorbing to the emitting cent

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031004

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractIn dieser Arbeit werden die Spannungsverhältnisse in möglichen Nebengleitsystemen in bezug auf das Hauptgleitsystem in hexagonalen Kristallen mit dichtester Kugelpackungsstruktur untersucht, und für Zn und Mg die spannungsmäßig begünstigten Nebengleitsysteme bes

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031005

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractDie Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐p‐n‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffizient eingeführt und seine Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung festgestellt. Dadurch wird es ermöglicht, die Spannungsabhängigkeit des Durchbruchsstromes auch im Übergangsbereich, in dem beide Durchbruchsmechanismen parallel wirke

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031006

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractFür die Sperrschichtkapazität werden eine Anfangskapazität und ein Spannungskoeffizient eingeführt und deren Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung angegeben. Die Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtkapazität bei verschiedenen Vorspannungen wird eingehend untersucht und eine Methode zur Kompensation des Temperaturganges der Sperrschichtkapazität dis

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031007

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractIm folgenden wird eine Röntgen‐Methode beschrieben, die zur Sichtbarmachung der einzelnen Versetzungen in dünnen Einkristallen und zur Untersuchung der sogenannten „Pendellösung‐Interferenzen”︁ dienen kann. Diese Methode ist eine Weiterentwicklung der Schwenkfilm‐Technik, die vonAULEYTNERbereits früher veröffentlicht wurde [1]. Es werden einige Beispiele angegeben, die Si‐Eink

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031008

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractThe temperature dependence of the sign of the charge on edge dislocations is investigated for several crystals containing low impurity concentrations. Below a certain critical temperature (from 400 to 550 °C depending on the crystal) the dislocations have a negative charge whilst above this temperature they have a positive charge. Results are analyzed in terms of the theory of charged dislocations; the free energies of formation (at 0 °K) of positive‐ and negative‐ion vacancies at dislocation jogs are found to beg +0= (0.95 ± 0.10) eV,g −0= (1.1

ISSN:0370-1972    

DOI:10.1002/pssb.19630031009

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1963

数据来源: WILEY