ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110102

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110103

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110104

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110105

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractDuring the recent years, flat screens have become a part of our modern life. Despite of their quite complex technology, they have been made a mass product, whose most advanced technology is integrated into laptop computers. After a brief description of basic function, an overview of the involved processes and the relevant equipment is given.

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110106

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractEvery surface will experience some kind of wear which is caused by abrasion. Depending on the use of the surface this damage can affect only the optical appearance or even affect the function. It depends on the use of product whether abrasion of the surface is relevant or not. In any case there are many different methods and instruments for measuring and evaluating the mechanic, chemo‐mechanic and optic degree of abrasio

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110107

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110108

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractHardness of a material describes the resistance of a material under indentation by a solid body. The vickers hardness [1] is determined by loading a diamond pyramid with a known force that is in contact with a specimen. The length of the diagonal of the remaining indent is used to calculate the contact area. The ratio of force and contact area is the vickers hardness. The abilities of modern technique of measurement replace the optical analysis of each indent by calculating the hardness from force and displacement recorded during the indent.Nano‐hardness measurements now can be used to determine the mechanical properties of thin films and structures in the range from less than 10 nm to 1μm. Hardness can be measured with very small indentations, which could not be analyzed according to vickers. Time dependent properties as creep and viscose flux of material can be checked on sub‐micron scale. The technique of nano‐hardness measurements is comparable to the universal hardness test [2] for metals, whose minimum indentation depth of h = 0.2 μm still is too big for many applications. Combined with an atomic force microscope (AFM) the presented technique is capable image the area of interest before and after testing. Mechanical properties like friction‐constants and wear can be measured quantitatively. The indenter can be used as a micro‐machining tool with high precis

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110109

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractPerfekte und homogene einkristailline Silizium‐Wafer aus Si‐Kristallen, gezüchtet nach dem Czochralski (CZ)‐ oder dem Float‐Zone (FZ)‐Prozess, sind Basismaterial und Substrat für nahezu alle modernen Halbleiterbauelemente der heutigen Mikroelektronik. Die Züchtung von Si‐Einkristallen mit hoher kristallographischer Perfektion und Homogenität erfordert eine hochentwickelte Prozesstechnologie und Anlagentechnik. Aus ökonomischen Gründen steigen dabei auch die Anforderungen an die Größe der gezüchteten Si‐Kristalle und an die Durchmesser der Si‐Wafer immer weiter.Die in der Mikroelektronik eingesetzten Si‐Wafer haben heute überwiegend Durchmesser von 6″ (150 mm) und 8″ (200 mm). Z. Zt. wird intensiv an der Einführung der neuen 300 mm‐Wafer‐Generation gearbeitet. Diese Einführung erfordert in einem relativ kurzem Zeitraum große Anstrengungen in der Prozess‐ und Equipment‐Entwicklung und einen hohen Kapitalaufwand für die Erprobung, Evaluation und Implementierung. Am Beispiel der neuen 300 mm‐Si‐Kristallziehanlagen‐Generation EKZ 3000 von Leybold Systems wird die Entwicklung und Erprobung von 300 mm‐Si‐Equi

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110110

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY

摘要:

AbstractEin PEEM wurde in eine bestehende UHV‐Apparatur so integriert, daß spektromikroskopische Messungen sowohl am Synchrotron als auch im Labor möglich sind. An dem Probensystem Polypyrrol konnte mit dieser Anlage die Fähigkeit des PEEM demonstriert werden, auch rauhe und unebene Proben untersuchen zu können. Mit der spektromikroskopischen Möglichkeit, Photoelektronen‐Spektren auf bestimmten Probenstellen messen zu können, wurde die Bedeutung des Sekundärelektronenausbeute‐Kontrastes auf Molybdänditellurid‐Proben gezeigt.Mit den zukünftig bereitstehenden Lichtquellen, die auf den spektromikroskopischen Einsatz des PEEM optimiert sind, erschließen sich für die Photoelektronenmikroskopie neue Bereiche. Gleichzeitig wird das PEEM immer mehr zu einem Stand

ISSN:0947-076X    

DOI:10.1002/vipr.19990110111

出版商:WILEY‐VCH Verlag    

年代:1999

数据来源: WILEY