Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1983
当前卷期:Volume 42  issue 1     [ 查看所有卷期 ]

年代:1983
 
     Volume 42  issue 1
     Volume 42  issue 2   
     Volume 42  issue 3   
     Volume 42  issue 4   
     Volume 42  issue 5   
     Volume 42  issue 6   
     Volume 42  issue 7   
     Volume 42  issue 8   
     Volume 42  issue 9   
     Volume 42  issue 10   
     Volume 42  issue 11   
     Volume 42  issue 12   
     Volume 43  issue 1   
     Volume 43  issue 2   
     Volume 43  issue 3   
     Volume 43  issue 4   
     Volume 43  issue 5   
     Volume 43  issue 6   
     Volume 43  issue 7   
     Volume 43  issue 8   
     Volume 43  issue 9   
     Volume 43  issue 10   
     Volume 43  issue 11   
     Volume 43  issue 12   
1. 12× pulse compression using optical fibers
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  1-2

B. Nikolaus,   D. Grischkowsky,  

Preview   |   PDF (144KB)

2. Rate and efficiency of I2dissociation in the presence of O2(1&Dgr;)
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  3-5

G. N. Hays,   G. A. Fisk,  

Preview   |   PDF (207KB)

3. Single‐mode operation of coupled‐cavity GaInAsP/InP semiconductor lasers
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  6-8

K. J. Ebeling,   L. A. Coldren,   B. I. Miller,   J. A. Rentschler,  

Preview   |   PDF (207KB)

4. Soft x‐ray pumping of metastable levels of Li+
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  9-11

R. G. Caro,   J. C. Wang,   R. W. Falcone,   J. F. Young,   S. E. Harris,  

Preview   |   PDF (235KB)

5. Polarization coupling effects in transversely excited atmospheric CO2lasers: Application to single axial mode operation
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  12-14

A. K. Kar,   R. G. Harrison,   D. M. Tratt,   C. A. Emshary,  

Preview   |   PDF (199KB)

6. Influence of lateral waveguiding properties on the longitudinal mode spectrum for semiconductor lasers
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  15-16

Bernhard Stegmu¨ller,  

Preview   |   PDF (151KB)

7. Structure‐dependent threshold current density in InGaAsP quantum well lasers
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  17-19

Akira Sugimura,  

Preview   |   PDF (243KB)

8. Discharge pumped ZnI (599–606 nm) and CdI (653–662 nm) amplifiers
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  20-22

D. P. Greene,   J. G. Eden,  

Preview   |   PDF (238KB)

9. Improved lifetimes of (GaAl)As visible (740 nm) lasers by reducing bonding stress
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  23-24

T. Hayakawa,   N. Miyauchi,   S. Yamamoto,   H. Hayashi,   S. Yano,   T. Hijikata,  

Preview   |   PDF (146KB)

10. Direct gain modulation of a semiconductor laser by a GaAs picosecond optoelectronic switch
  Applied Physics Letters,   Volume  42,   Issue  1,   1983,   Page  25-27

E. O. Go¨bel,   G. Veith,   J. Kuhl,   H.‐U. Habermeier,   K. Lu¨bke,   A. Perger,  

Preview   |   PDF (205KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第1页 共48条