Applied Physics Letters


ISSN: 0003-6951        年代:1982
当前卷期:Volume 40  issue 1     [ 查看所有卷期 ]

年代:1982
 
     Volume 40  issue 1
     Volume 40  issue 2   
     Volume 40  issue 3   
     Volume 40  issue 4   
     Volume 40  issue 5   
     Volume 40  issue 6   
     Volume 40  issue 7   
     Volume 40  issue 8   
     Volume 40  issue 9   
     Volume 40  issue 10   
     Volume 40  issue 11   
     Volume 40  issue 12   
     Volume 41  issue 1   
     Volume 41  issue 2   
     Volume 41  issue 3   
     Volume 41  issue 4   
     Volume 41  issue 5   
     Volume 41  issue 6   
     Volume 41  issue 7   
     Volume 41  issue 8   
     Volume 41  issue 9   
     Volume 41  issue 10   
     Volume 41  issue 11   
     Volume 41  issue 12   
1. A wavelength scannable XeCl oscillator—ring amplifier laser system
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  1-3

Thomas J. Pacala,   I. Stuart McDermid,   James B. Laudenslager,  

Preview   |   PDF (225KB)

2. Electrowetting optical switch
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  4-5

J. L. Jackel,   S. Hackwood,   G. Beni,  

Preview   |   PDF (248KB)

3. High‐frequency electro‐optic oscillator using an integrated interferometer
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  6-8

A. Neyer,   E. Voges,  

Preview   |   PDF (232KB)

4. Optical recording in hydrogenated semiconductors
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  8-10

M. A. Bo¨sch,  

Preview   |   PDF (224KB)

5. Characterization of LiNbO3waveguides exchanged in TlNO3solution
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  10-12

Yi‐Xin Chen,   William S. C. Chang,   S. S. Lau,   L. Wielunski,   Robert L. Holman,  

Preview   |   PDF (220KB)

6. Ten‐atmospheres high repetition rate rf‐excited CO2waveguide laser
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  13-15

S. Lo&slash;vold,   G. Wang,  

Preview   |   PDF (207KB)

7. Lattice defect structure of degraded InGaAsP‐InP double‐heterostructure lasers
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  16-17

K. Ishida,   T. Kamejima,   Y. Matsumoto,   K. Endo,  

Preview   |   PDF (208KB)

8. Short‐wavelength continuous 300‐K photopumped AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructure laser (&lgr;≳7270 A˚)
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  18-19

H. Morkoc¸,   T. J. Drummond,   M. D. Camras,   N. Holonyak,  

Preview   |   PDF (199KB)

9. Pulsed chemical laser with variable pulse‐length electron‐beam initiation and magnetic confinement
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  20-22

S. T. Amimoto,   J. S. Whittier,   M. L. Lundquist,   F. G. Ronkowski,   R. Hofland,   P. J. Ortwerth,  

Preview   |   PDF (256KB)

10. New display based on electrically induced index‐matching in an inhomogeneous medium
  Applied Physics Letters,   Volume  40,   Issue  1,   1982,   Page  22-24

H. G. Craighead,   Julian Cheng,   S. Hackwood,  

Preview   |   PDF (251KB)

首页 上一页 下一页 尾页 第1页 共39条