Lowering of breakdown voltage of semiconductor silicon due to the precipitation of impurity carbon

 

作者: N. Akiyama,   Y. Yatsurugi,   Y. Endo,   Z. Imayoshi,   T. Nozaki,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1973）
卷期: Volume 22, issue 12  

页码: 630-631

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1973

 

DOI:10.1063/1.1654534

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

摘要:

 

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