AbstractAls effektiver bandkantennaher Übergang in Si‐dotiertem n‐Ga1–xAlxAs (x ∼0,8) tritt in der Katodolumineszenz bei T = 80 K die Rekombination eines freien Loches mit einem gebundenen Elektron auf. Die Effizienz dieser Bande wird durch einen 300 meV niederenergetischeren Paarstrahlungsübergang beeinflußt. Unter Bedingungen einer steigenden hohen Anregungsdichte wird die Paarstrahlung zugunsten der Frei‐Gebunden‐Emission getilgt. Beide Lumineszenzpeaks verschieben sich in Richtung kurzwelliger Strahlung, das Paarband um etwa 45 meV, der Frei‐Gebunden‐Übergang um etwa 3 meV. Die Erscheinungen werden auf der Basis eines Dreizentren‐Auger‐Prozesses, an dem die auf Akzeptorzuständen eingefangenen Löche