AbstractUntersuchungsergebnisse über die Beeinflussung des Ärzvorganges an GaAs{111}‐Flächen durch Ultraschall werden mitgeteilt. Aus den Abtragungsraten aufA‐ undB‐Flächen bei 20°C, 40°C, und 60°C in Abhängigkeit von der Ultraschall‐Intensität wird abgeleitet, daß nicht die Mikrokavitation, sondern eine Verstärkung der Diffusion im Ätzmittel und eine Energiezufuhr zum Kristall infolge Ultraschallabsorption Erhöhung der Abtragungsraten bis auf den 10‐fachen Betrag bewirken. Die ausführliche Fehlerbetrachtung zeigt, daß bei der Bestimmung von Ätzraten Abweichungen der Einzelmessungen bis ± 50% auftreten, die eine statistische Auswertung zahlreicher Meßreihen erforderlich machen. Die Oberflächenausbildungen sin durch terrassen‐ und spiralförmige Ätzgruben auf denA‐Flächen gekennzeichnet, die 60°‐ Versetzungen und Schraubenversetzungen zugeordnet werden. Auf denB‐Flächen bewirkt der Ultraschal