作者: B. Wakefield,
期刊: Applied Physics Letters (AIP Available online 1978) 卷期: Volume 33, issue 5
页码: 408-409
ISSN:0003-6951
年代: 1978
DOI:10.1063/1.90394
出版商: AIP
数据来源: AIP
摘要:
The use of a photoluminescence technique to reveal the presence of carryover in the active layer of LPE GaAs/GaAlAs double‐heterostructure laser material has enabled growth procedures to be optimized in order to produce uniform active layers.
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