Disorder profiles in silicon at high sputtering dose by profiling the oxide growth rate

 

作者: Mikołaj Kisielewicz,  

 

期刊: Radiation Effects  （Taylor Available online 1984）
卷期: Volume 80, issue 1-2  

页码: 81-85

 

ISSN:0033-7579

 

年代: 1984

 

DOI:10.1080/00337578408222491

 

出版商: Taylor & Francis Group

 

数据来源: Taylor

 

 

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